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LG전자, 국내외 ‘친환경 건물’ 투자 확대한다

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Monday, July 12, 2021, 11:07:00

LG사이언스파크·북미법인 신사옥 등 친환경 인증받아

 

인더뉴스 이진솔 기자 | LG전자(대표 권봉석·배두용)가 새로 짓는 건물은 친환경으로 설계하고 기존 건물에선 에너지 사용을 줄이고 있다고 12일 밝혔습니다.

 

서울 강서구 LG사이언스파크 내 LG전자 연구동은 2017년 1단계 6개 동이 완공된 데 이어 현재 4개 동을 추가로 올리는 2단계 공사를 진행하고 있습니다. 2단계 공사는 2024년에 완료될 예정입니다.

 

1단계 건축물은 국토교통부와 환경부가 주관하는 친환경건축물 인증제도인 ‘녹색건축 인증제도(G-SEED)’에서 ‘우수’ 등급을 받았습니다. 올해 착공을 시작한 2단계 건축물은 설계 단계에서 평가하는 예비인증을 통해 녹색건축 인증제도 ‘우수’ 등급을 받았습니다.

 

지난 5월 LG전자가 발행한 5300억 원 규모 회사채 가운데 녹색채권 1900억 원은 2단계 건축물에 사용될 예정입니다. 이 녹색채권은 LG전자가 발행한 첫 ESG(환경·사회·지배구조) 채권입니다. 녹색채권은 환경친화적인 프로젝트에 투자할 자금을 마련하기 위해 발행하는 채권입니다.

 

LG전자가 지난해 상반기 미국 뉴저지주에 새로 지은 북미법인 신사옥은 최근 미국 그린빌딩위원회(U.S Green Building Council)가 제정한 친환경 건축물 인증제도 ‘리드(LEED)’ 최고등급인 ‘플래티넘(Platinum)’을 획득했습니다.

 

그린빌딩위원회가 1998년에 제정한 리드는 세계적인 친환경 인증제도입니다. 설계단계부터 완공 이후까지 에너지 효율, 물 사용량, 실내환경 등 건물이 환경에 미치는 영향을 여러모로 분석해 플래티넘, 골드, 실버, 일반 등 4단계 등급으로 평가하고 있습니다.

 

LG전자가 총 3억 달러를 투자한 신사옥은 대지면적 약 11만㎡, 전체면적 6만3000㎡ 규모입니다. 이 건물 주변 삼림, 습지 등을 보호하기 위해 전체면적 절반에 달하는 녹지를 조성했는데 신사옥 주변에 심은 나무만 1500 그루가 넘습니다.

 

건물 옥상에는 고효율 태양광 모듈을 배치했습니다. 건물 전체에 적용한 고효율 공조시스템(HVAC)은 에너지 비용을 줄이는 역할을 합니다. 또 경남 창원에 짓고 있는 스마트팩토리는 에너지저장장치(ESS)와 고효율 공조시스템 등 친환경 에너지 설비 등을 갖추게 됩니다.

 

자동차 부품 자회사 ZKW도 헤드램프와 안개등을 제조하는 슬로바키아 크로소비체 공장에서 기계가 배출하는 열을 건물 난방에 사용하고 있습니다. 또 고효율 열교환기를 이용해 건물 내부의 열을 모아 온수를 만드는 데 씁니다. 멕시코 실라오 사업장은 고효율 공조시스템, 발광다이오드(LED) 조명 등을 적용해 에너지 사용을 줄이고 있습니다.

 

LG전자가 경기도 성남시에 연면적 약 500㎡ 규모에 지상 3층, 지하 1층으로 조성한 ‘LG 씽큐 홈’은 국내 최초로 제로에너지건축물 본인증 1등급을 받았습니다. 이 인증은 국토교통부가 제로에너지건축물을 확대하기 위해 지난 2017년 도입한 제도이며 1등급이 가장 높습니다.

 

또 스페인과 포르투갈 등을 관할하는 이베리아법인은 지난 2019년 스마트 그린 프로젝트 일환으로 법인 인근에 스마트 그린 홈(Smart Green Home) 쇼룸과 스마트 그린 가든(Smart Green Garden)을 구축했습니다. 스마트 그린 홈에 있는 태양광 모듈, 친환경 보일러, 가정용 에너지저장장치 등은 재생에너지 사용을 늘리고 탄소배출을 줄입니다. 스마트 그린 가든에 있는 나무 1000그루는 매년 이산화탄소 약 200t을 흡수하는 효과가 있습니다.

 

LG전자 관계자는 “친환경 건물에 대한 투자를 이어가는 한편 플라스틱 사용을 줄이고 친환경 포장재를 사용하는 등 환경을 생각하는 제품과 서비스를 지속 선보일 계획”이라고 말했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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