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LG전자-미래에셋그룹, 1000억원 규모 스타트업 투자 펀드 조성

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Friday, April 30, 2021, 10:04:00

신사업 분야 벤처기업에 투자

 

인더뉴스 이진솔 기자 | LG전자가 미래에셋그룹과 손잡고 신성장동력을 발굴하기 위한 스타트업 투자 펀드를 조성합니다.

 

LG전자(대표 권봉석·배두용)와 미래에셋그룹은 지난 29일 서울 종로구 포시즌스호텔에서 ‘미래에셋-LG전자 신성장산업 공동투자 협약식’을 진행했습니다. 협약식에는 조주완 LG전자 CSO(최고전략책임자) 부사장, 이만희 미래에셋캐피탈 대표 등이 참석했습니다.

 

두 회사는 각각 500억 원씩 출자해 국내외 유망 스타트업에 투자하는 1000억원 규모 펀드를 조성합니다. 미래에셋그룹은 미래에셋증권, 미래에셋캐피탈 등 계열사를 통해 500억원을 마련합니다. 펀드 운용은 미래에셋캐피탈이 맡습니다. 존속기간은 10년입니다.

 

투자는 전기차 에코시스템, 디지털헬스케어, 데이터 관련 사업 등 신사업 분야 벤처기업에 집중될 예정입니다. LG전자 관계자는 “미래를 위한 성장동력을 발굴함과 동시에 대기업과 벤처기업 간 오픈 이노베이션(Open Innovation)을 추진하는 것이 목표”라며 “이번 투자를 통해 벤처기업의 비즈니스 생태계를 활성화하고 경제의 역동성을 높이는 데에도 이바지할 것으로 기대하고 있다”고 설명했습니다.

 

조주완 부사장은 “선택과 집중을 통해 경쟁우위를 확보할 수 있는 핵심사업에 역량을 집중하고 동시에 미래 성장을 위한 신사업 준비를 가속하며 사업 포트폴리오를 강화할 것”이라고 말했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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