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[2022 주총] 신한금융, 1500억원 규모 자사주 매입…“주주환원 확대”

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Thursday, March 24, 2022, 13:03:29

보통주 377만8338주 장내매수 후 소각..발행 주식수 0.73%↓
신규 사외이사 김조설 교수 선임..여성 사외이사 총 2명


인더뉴스 정석규 기자ㅣ신한금융지주[055550]가 1500억원 규모의 자사주를 소각하고 올해 1분기부터 분기배당을 정례화하기로 결정했습니다.

신한금융지주는 24일 오전 서울 중구 소재 본점에서 임시 이사회와 정기 주주총회(이하 주총)를 개최했다고 밝혔습니다.

 

신한금융지주 임시 이사회에서는 1500억 규모의 소각목적 자기주식 취득 안건을 결의했습니다. 신한금융 관계자는 "이번 자사주 매입과 함께 일관된 분기 배당으로 주주와 시장의 기대에 충족하는 다양한 주주환원 정책을 추진할 방침이다"며 "배당가능이익 범위 내에서 취득 예정인 자기주식의 소각이므로 발행 주식 총수는 감소하나 자본금은 감소하지 않는다"고 설명했습니다.

 

신한금융이 소각할 주식은 보통주 377만8338주로 발행 주식 총수의 0.73%에 해당합니다. 전일 종가 3만9700원을 기준으로 하면 규모는 1500억원 규모의 자사주를 소각하는 것입니다.

 

자사주 소각을 위한 자사주 취득 예정기간은 오는 25일부터 오는 6월 24일까지입니다. 신한금융에 따르면 소각할 자사주는 장내매수로 취득할 계획입니다.

 

한편 주총에서는 ▲제21기 재무제표 및 연결재무제표 승인 ▲이사 선임 ▲신감사위원회 위원 선임 ▲감사위원회 위원 선임 ▲이사 보수한도 등의 안건을 의결했습니다.

신한금융의 사외이사 12명 가운데 8명은 올해 임기 만료를 앞두고 있으며 이 중 9년 임기를 채운 최경록 이사는 정기주총을 끝으로 퇴임합니다.  

최 이사를 대신할 신임 사외이사로는 신한금융 이사회가 지난 3일 이사회에서 추천한 김조설 오사카상업대학 경제학부 교수가 선임됐습니다. 이번 김 교수 선임으로 신한금융 여성 사외이사는 기존 윤재원 사외이사를 포함해 총 2명으로 늘었습니다. 

이달 임기가 만료되는 ▲박안순 대성상사 회장 ▲변양호 VIG파트너스 고문 ▲성재호 성균관대학교 법학전문대학원 교수 ▲윤재원 홍익대학교 경영대학 교수 ▲이윤재 전 대통령재정경제비서관 ▲진현덕 페도라 대표이사 ▲허용학 First Bridge Strategy Ltd. CEO 등 사외이사 7명은 모두 재선임됐습니다. 

 

조용병 신한금융지주 회장은 "지난해 신한금융은 다양한 어려움 속에서 디지털 플랫폼 강화와 글로벌 스탠다드에 부합하는 ESG 경영 등 도전을 멈추지 않았다"며 "현실에 안주했던 과거, 불확실한 환경, 첨예한 경쟁을 돌파하며 신한이 하면 다르다는 평가를 향해 임직원 모두 최선을 다하겠다"고 말했습니다.

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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