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KT&G, 지난해 최고 매출 경신…‘3대 핵심사업’ 주도

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Wednesday, February 07, 2024, 17:02:45

2023년 매출 5조8724억원..'해외궐련' 실적 견인
부동산 사업 종료에 영업이익은 7.9% ↓

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣKT&G[033780]가 3대 핵심 사업 성장세에 힘입어 지난해 역대 최대 매출 기록을 작성했습니다.

 

KT&G는 연결 기준 2023년 매출이 5조8724억원으로 전년 대비 0.4% 증가했다고 7일 공시했습니다. 영업이익은 1조1679억원으로 전년보다 7.9% 감소했습니다. 당기순이익은 9266억으로 전년 대비 7.8% 줄었습니다.

 

KT&G 측은 수원사업 등 대규모 부동산 사업 종료로 연간 영업이익 1805억원에서 705억원으로 95.8% 줄어들면서 영업이익이 일시적으로 감소했다고 설명했습니다.

 

4분기 연결 기준 매출은 1조4512억원, 영업이익은 1986억원입니다. 전년 대비 매출은 3.2% 늘었고 영업이익은 1.4% 줄었습니다.

 

특히 3대 핵심사업 중 하나인 해외궐련 사업부문의 연간 매출이 1조1394억원으로 최고 기록을 경신하며 연간 실적을 견인했습니다. 해외궐련을 포함한 NGP(전자담배)·건기식 등 3대 핵심사업의 연간 매출은 전년대비 1.1% 증가한 3조3127억원으로 집계됐습니다.

 

국내외 NGP 사업부문의 견조한 매출수량 증가세도 지속됐습니다. 연간 해외 스틱 매출수량은 82억4000만 개비, 국내 스틱 매출 수량은 57억1000만 개비로 전년 대비 각각 43%, 14.4%로 두 자릿수 성장세를 이어갔습니다.

 

해외법인 중심의 글로벌 궐련 판매 호조와 해외 NGP 스틱 매출수량 고성장에 힘입어 글로벌 담배 수량은 614억 개비를 기록하며 사상 처음으로 600억 개비를 돌파했습니다.

 

건기식 사업부문도 해외 매출 확대에 따라 연간 매출액과 영업이익이 모두 증가했습니다. 연간 건기식 매출은 전년 대비 0.3% 증가한 1조3938억원이었고, 영업이익은 1164억원으로 32.6% 증가하며 매출 성장률을 상회했습니다.

 

이날 자사주 소각 계획도 발표했습니다. 올해는 지난해 11월 발표한 3개년(2024년~2026년) 중장기 주주환원정책을 이행하는 첫 해로, 오는 16일 보유 중인 자사주 350만주(약 3150억원 규모)를 소각합니다. 또 하반기에는 추가적으로 자사주를 매입하고 매입 즉시 전량 소각할 예정입니다.

 

같은 날 이사회는 2023년 결산배당금을 4000원으로 결의했습니다. 반기 배당금 1200원을 포함한 연간 총 배당금은 전년 대비 200원 인상된 주당 5200원이 될 전망입니다. 최종 배당금은 주주총회에서 결정됩니다.

 

KT&G 관계자는 "2023년은 3대 핵심사업 중심의 비즈니스 트랜스포메이션 전략 안착에 주력한 한 해였다"며 "올해도 핵심사업의 경쟁력 강화, 지속가능한 사업 포트폴리오 확대와 함께 적극적인 주주환원 정책 이행으로 기업가치와 주주가치를 동시에 제고하기 위해 노력할 것"이라고 말했습니다.

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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