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SK이노, 3분기 영업익 7039억…전년 동기비 5.28%↑

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Thursday, November 03, 2022, 18:11:51

매출액 22조7534억..지난해 3분기보다 82.49% 증가
윤활유 사업 분기 최대 영업익..배터리 수익성도 개선

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣSK이노베이션[096770]의 3분기 영업이익이 전년 동기 대비 5.28% 증가한 7039억원으로 집계됐습니다.

 

3일 SK이노베이션이 공시한 올해 3분기 실적에 따르면, 매출액 22조7534억원, 영업이익 7039억원, 당기순이익 1751억원을 기록했습니다. 전년 동기 대비 매출액은 82.49%, 영업이익은 5.28% 증가했으며, 당기순이익은 65.46% 감소했습니다.

 

직전 분기인 올해 2분기와 비교할 경우 매출은 14.31% 늘었으나, 영업이익과 당기순이익은 각각 69.78%, 86.91% 줄었습니다. 

 

SK이노베이션 측은 "윤활유 사업이 분기 최대 영업이익을 달성하고, 배터리 사업 수익성이 개선됐으나 글로벌 경기침체 우려에 따른 유가 및 정제마진 하락 영향으로 전분기 대비 영업이익이 대폭 감소했다"며 "다만 매출액은 석유사업의 CDU 가동률 상향과 배터리 사업의 신규 공장 생산능력 향상 등에 힘입어 전분기 대비 증가했다"고 밝혔습니다.

 

사업별 실적을 살펴보면, 배터리사업은 2조1942억원의 매출액과 영업손실 1346억원을 기록했습니다. 미국, 유럽 신규 공장 안정화에 따른 판매량 증가와 원자재 가격 상승분에 대한 판매단가 전가 등으로 전분기 대비 매출이 9062억원 증가하는 성과를 거뒀습니다. 영업손익은 원재료 가격 상승에 대한 판가 조정 협의 등을 통해 수익성을 개선했습니다.

 

석유사업은 3165억원의 영업이익을 기록했습니다. 각국의 긴축기조 강화와 중국의 대규모 수출쿼터 발표 등으로 유가 및 정제마진이 하락하며 전분기 대비 1조9126억원이 감소했습니다.

 

화학사업은 영업이익 1083억원으로 집계됐습니다. 나프타(납사) 가격 하락에 따른 재고관련 손실에도 불구하고, 견조한 파라자일렌(PX) 스프레드 및 환율상승 등에 따른 마진개선 효과에 힙입어 전분기 대비 323억 증가했습니다.

 

윤활유사업은 전분기 대비 808억원 증가한 3360억원의 영업이익을 달성하며 분기 기준 최대 실적을 기록했습니다. 유가하락에 따른 원가 하락에도 불구하고, 타이트한 글로벌 수급 균형으로 견조한 판가수준이 유지된 것이 영업이익 증가를 이끌었습니다.

 

석유개발사업은 영업이익 1605억원을, 소재사업은 제품 종류별 판매량 변동에 따른 매출액 감소와 일회성 비용 증가로 인해 영업손실 270억원을 기록했습니다.

 

김양섭 SK이노베이션 재무부문장은 "변동성이 높은 시장 환경이 지속되는 상황에서도 고도화 설비 가동 확대 등 운영 최적화를 통해 안정적 수익을 창출할 수 있도록 노력하겠다"며 "SK이노베이션의 새로운 비전인 ’올타임 넷제로’를 달성하기 위해 그린 사업으로의 전환 투자에도 속도를 내겠다"고 말했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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