검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Bank 은행

SC제일은행, 상반기 순이익 2121억…전년비 14.8%↑

URL복사

Tuesday, August 16, 2022, 17:08:44

이자이익 전년비 17.8%↑..대출 자산 확대·금리 상승 수혜
비이자이익 전년비 36.1%↓..시장 불확실성 증대 영향

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣSC제일은행이 올해 상반기 2000억원이 넘는 순이익을 올렸습니다.

SC제일은행은 올해 상반기 순이익이 지난해 같은 기간(1848억원)과 비교해 14.8%(273억원) 증가한 2121억원으로 집계됐다고 16일 공시했습니다. 영업이익은 전년 동기 대비 9.4% 늘어난 2614억원으로 나타났습니다.

SC제일은행은 이자이익이 순이익 증가를 견인했다고 분석했습니다. 상반기 이자이익은 5842억원으로, 전년 동기 대비 17.8% 늘어났습니다. 대출 자산의 증가와 금리 상승의 영향입니다.

올 상반기 SC제일은행의 총 여신은 51조3513억원으로 지난해 같은 기간(48조6194억원)에 비해 5.62% 증가했습니다. 금리가 오르며 순이자마진(NIM)도 개선됐습니다. 상반기 NIM은 1.31%로, 지난해 상반기보다 0.13%p 상승했습니다.

다만 비이자이익은 시장 불확실이 커지면서 줄었습니다. 자산관리(WM) 부문과 금융시장(FM) 부문 비즈니스가 주춤하면서 SC제일은행의 상반기 비이자이익은 전년 동기 대비 36.1% 감소한 1310억원으로 나타났습니다. 대손충당금 전입액 규모는 경기 악화 전망 등을 감안해 추가 적립한 결과 전년 동기 대비 347억원 증가했습니다.

수익성 지표는 개선됐습니다. 상반기 SC제일은행의 총자산순이익률(ROA)은 0.46%로 전년 동기보다 0.02%p 상승했습니다. 자기자본순이익률(ROE)도 전년 동기보다 0.8%p 오른 8.49%로 나타났습니다.

건전성 지표도 양호했습니다. 3개월 이상 연체돼 회수가 어려울 것으로 판단되는 고정이하여신(NPL) 비율은 전년 동기보다 0.06%p 낮은 0.17%로, 연체율은 지난해 같은 기간보다 0.02%p 하락해 0.09%로 집계됐습니다.

 

SC제일은행의 올해 6월 말 자산 규모는 전년 말보다 15.3% 늘어난 99조9429억원을 기록했습니다. 상반기 SC제일은행의 국제결제은행(BIS) 자기자본비율 16.16%, 기본자본(Tier1)비율 13.39%를 기록하며 자본 건전성을 유지하고 있습니다.
 
앞서 SC제일은행은 지난 6월 글로벌 경제 위기 등 비상 상황에 대비한 위험 흡수 능력을 선제적으로 확충하기 위해 4000억원 규모의 상각형 조건부자본증권을 발행했습니다.

 

SC제일은행 관계자는 "지속적으로 감독당국의 요건을 상회하면서 국제적 수준의 건실한 자본 건전성을 유지하고 있다"고 말했습니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

More 더 읽을거리

정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너