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손태승 우리금융 회장 “종합금융그룹 경쟁력 끌어올릴 것”

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Monday, January 02, 2023, 17:01:26

[2023년 신년사]
새해 경영목표 '경쟁우위 확보, 기업가치 제고'
증권·보험·VC 등 비은행 사업포트폴리오 속도
"불확실성 대응 리스크 관리로 기초체력 비축"

인더뉴스 문승현 기자ㅣ손태승 우리금융그룹 회장이 2023년 새해 경영목표로 '경쟁우위 확보, 기업가치 제고'를 내세웠습니다.


손태승 회장은 2일 신년사를 통해 "올해 최우선 전략은 'Biz 핵심역량 Value-up'과 '차별적 미래성장 추진'을 통해 종합금융그룹으로서 경쟁력을 끌어올리는 것"이라고 밝혔습니다.


이어 "시장 환경이 어려울수록 자회사 핵심사업 시장 지위를 제고해 수익기반을 강화해야 한다"며 "증권·보험·VC(벤처캐피탈) 등 지난해 시장 불안정으로 보류한 비은행 사업포트폴리오 확대는 올해 속도를 높일 것"이라고 말했습니다.


우리WON카·WON멤버스·원비즈플라자 등 그룹사 통합 플랫폼과 공동영업시스템을 통한 그룹 시너지 극대화, 비금융업 분야 사업 기회 확대 방침도 밝혔습니다.

 


손태승 회장은 "그룹 미래성장동력이자 이미 치열한 경쟁시장인 자산운용관리·연금시장·기업투자금융(CIB)·글로벌 분야는 2023년 중요한 승부처가 될 것"이라며 "자산운용 본원경쟁력을 확보하고 연금시장 역시 고객주도형 자산관리 흐름에 맞춰 질적·양적 성장을 이뤄야 한다"고 주문했습니다.


그러면서 "CIB 분야는 우량자산 비중을 높이면서 비이자수익은 강화하고 글로벌 사업은 동남아시아 법인들의 디지털 전환을 가속화하는 등 효율적인 성장전략을 추진할 것"이라고 부연했습니다.


불확실성에 대응한 리스크관리 강화와 내부통제 체계 정교화는 '기본전략'으로 상정했습니다.


손태승 회장은 "상반기까지는 그 어느 때보다도 자산건전성·자본비율·유동성 관리에 집중해 체력을 적절히 비축해야 할 것"이라며 "코로나 여신지원 연장에 따라 건전성에 착시가 있다는 우려의 목소리가 큰 만큼 잠재 리스크 관리도 강화해야 한다"고 지적했습니다.


또 "금융당국에서 추진하는 내부통제 개선안을 선제적으로 수용해 금융사고 예방업무를 고도화해야 한다"며 "금융소비자보호법 시행 3년차를 맞아 취약계층을 포함해 금융소비자 편의와 권익을 제고할 수 있는 방안을 적극 확대해야겠다"고 주문했습니다.


손태승 회장은 '그룹체계 레벨업'을 위해 올해부터 인사·조직문화를 과감히 혁신하고 능력과 전문성을 중심으로 인재를 발탁하는 등 쇄신인사를 단행하겠다고 밝혔습니다.


손태승 회장은 "2021년말 모두가 염원한 23년 만의 완전민영화를 달성한 후 지난해 초 완전민영화 원년을 시작하며 '디지털이 강한 글로벌 리딩금융그룹 도약'이라는 중장기 목표를 발표한 바 있다"고 상기하면서 "2023년은 모두에게 위기의 한해이기도 하지만 지난 4년동안 그룹체제를 탄탄히 다져온 만큼 응축된 힘을 바탕으로 올해 더 멀리 더 높은 곳으로 비상하는 한해로 만들어가자"고 당부했습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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