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손경식 CJ그룹 회장 “경영변화, 위기이자 기회…글로벌 기업 도약”

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Monday, January 02, 2023, 13:01:48

[2023년 신년사]
연속 최고 실적에도 시가총액 정체 '부족' 진단
올해 2025 중기 전략 실행 원년 삼을 것 강조

 

인더뉴스 장승윤 기자ㅣ손경식 CJ그룹 회장은 2일 사내방송을 통해 임직원들에게 "급변하는 국내외 경영환경은 위기이자 큰 도약의 기회"라며 글로벌 라이프스타일 기업 도약을 강조했습니다.

 

손경식 회장은 "경영환경이 급변하는 시기에 대응을 잘한 기업은 위기를 기회로 만들어 보통의 기업보다 엄청난 격차를 벌렸다"며 "2년째 최고 실적을 달성하고 있음에도 그룹 시가총액이 정체돼 있는 것은 CJ 그룹의 경쟁력에 대한 시장의 확신이 여전히 부족하다는 것을 의미한다"며 현 상황을 진단했습니다.

 

따라서 CJ그룹이 2025중기 전략을 성공적으로 실행해 글로벌 라이프스타일 기업으로 도약해야 한다고 말하며 올해를 중기 전략을 실행하는 원년으로 삼아 매진해야 할 방향을 제시했습니다.

 

손 회장은 "계열사는 4대 미래 성장엔진인 문화, 플랫폼, 웰니스, 지속가능성 기반 위에 새롭게 정비된 혁신성장 사업 중심으로 과감하고 신속한 투자와 M&A 등을 철저히 실행해야 한다"며 "새로운 영역과 영토로 확장을 지속해 나가야 할 것"이라고 말했습니다.

 

이어 "우리는 이미 유망한 BT 즉, 바이오 테크놀로지 분야에서 신사업을 시작했고 관련 사업 분야를 확대해 나갈 것"이라며 "올해는 재무안정성도 동시에 확보해 나가겠다"고 전했습니다. 현금성 자산 중심으로 최대한 유동성을 미리 확보해 적절한 시기에 과감한 투자를 실행할 수 있어야 한다는 겁니다.

 

인재 육성의 중요성도 강조했습니다. 그는 "가장 중요한 최고 인재의 선제적 확보와 육성, 근본적인 조직문화 개선이 필요하다"며 "인재에게 연공서열을 타파한 다양한 기회와 공정한 경쟁을 보장하고 탁월한 성과에 대해서는 파격적인 보상을 한층 강화할 것"이라고 밝혔습니다.

 

특히 인재가 빠르게 성장할 수 있고 원하는 사업과 직무에 도전할 수 있도록 그룹 잡 포스팅, 사내벤처, 사내 독립기업, 스핀오프 등을 확대해 나가겠다고 약속했습니다. 거점오피스 이용 정착, 선택근무제 시행 확대 등 전방위적 조직문화 혁신을 가속화해 나간다는 방침입니다.

 

또 손 회장은 "우리는 핵심 사업에 있어 초격차 역량을 재정립하고 조기 구축해 글로벌 경쟁사가 넘볼 수 없는 구조적 경쟁력을 확보하고 강화해 나가야 한다"며 "먼저 초격차 역량 및 실질적인 성과 지표를 더욱 정교하게 해 우리 자신의 진짜 실력을 정확히 알고 선제적으로 대처해야 한다"고 주장했습니다.

 

디지털 전환과 R&D 투자의 필요성도 언급했습니다. 그는 "미래 기술과 고객의 트렌드를 신속히 파악하는 것은 물론 효율성을 위한 디지털 전환을 가속화하고 과감한 R&D투자와 첨단 기술도 확보해야 한다"며 "고객의 핵심 애로사항을 해결해 고객 신뢰로 뭉쳐진 브랜드를 정립해야 한다"고 전했습니다.

 

끝으로 손 회장은 "우리가 퀀텀 점프해 글로벌 메이저 플레이어로 가느냐 아니면 단순히 국내시장에 안주해 존재감 없이 쇠퇴해 가느냐는 올해 얼마만큼 초격차 역량과 최고 인재를 확보해 담대한 미래 전략을 구상하고 철저히 실행하는가에 달려있다"고 말했습니다.

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장승윤 기자 weightman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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