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삼성전자, ‘미래기술육성사업’ 연구지원 과제 발표

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Thursday, July 15, 2021, 13:07:35

AI·암호 시스템 등 연구비 총 152억1000만원 지원

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 삼성전자(대표 김기남·김현석·고동진)는 2021년 ‘삼성미래기술육성사업’ 지정테마 연구지원 과제 12개를 발표했다고 이날 밝혔습니다. 총연구비 152억1000만원이 지원됩니다.

 

올해 지정테마 연구지원 과제는 새롭게 선정된 ▲어드밴스드 AI ▲차세대 암호 시스템 외에 ▲B(Beyond)5G&6G ▲로봇 ▲차세대 디스플레이 ▲반도체 소자 및 공정 등 총 6개 분야에서 12개를 선정했습니다.

 

‘어드밴스드 AI(인공지능)’분야에서는 연세대학교 전기전자공학부 황도식 교수의 ‘순환 추론형 인공지능-자기 질의응답 기반 자동 의료 진단 기술’ 등 총 2개 과제가 선정됐습니다. 황도식 교수 연구팀은 전기공학, 컴퓨터공학, 의학 등 다양한 분야를 전공한 교수 3명으로 구성됐습니다. 질병 진단 시 활용되는 데이터를 활용해 AI가 스스로 질문과 답변을 만드는 과정을 반복하는 딥러닝 모델을 개발할 계획입니다.

 

‘차세대 암호 시스템’ 분야에서는 송용수 서울대학교 컴퓨터공학부 교수의 ‘다자간 근사계산

암호 원천기술 개발’ 과제가 선정됐습니다. 클라우드에 보관된 민감한 자료의 비밀성은 유지하면서 데이터 분석이 가능한 기술입니다.

 

‘로봇’ 분야에서는 김민구 인하대학교 정보통신공학과 교수의 ‘동적 질량중심을 가지며 변형 가능한 물체를 인간 수준으로 조작하기 위한 시-촉각 인식 기술’ 과제가 선정됐습니다. 시각과 촉각 정보를 융합해 로봇이 인간 수준으로 물체를 다룰 수 있게 하는 기술 개발을 목표로 하는 과제입니다.

 

‘차세대 디스플레이’ 분야에서는 ▲최수석 포스텍 전자전기공학과 교수의 ‘파장 조절이 가능한 페로브스카이트 나노결정 기반 화소 배열형 키랄 레이저(Chiral Laser) 연구’ ▲정권범 동국대학교 물리반도체과학부 교수의 ‘초고해상도 PPI(Pixel Per Inch) 디스플레이용 트랜지스터 소자의 인라인 모니터링을 위한 결함 이미징 기술 개발’ 등 4개 과제가 선정됐습니다.

 

삼성전자는 삼성미래기술육성사업을 통해 지난 2013년부터 1조5000억원을 출연해 연구를 지원하고 있습니다. 연구자가 도전적인 연구에 매진하도록 목표를 달성하지 못해도 책임을 묻지 않고 실패 원인을 지적 자산으로 활용하도록 하고 있습니다.

 

삼성전자는 이번에 발표한 연구과제를 포함해 지금까지 기초과학 분야 229개, 소재 분야 224개, ICT 분야 229개 등 총 682개 연구과제에 8865억원을 연구비로 지급했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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