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LG, 5년간 106조원 투자…배터리 등 미래성장 분야 집중

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Thursday, May 26, 2022, 11:05:05

그룹 중장기 계획 확정
배터리·배터리소재 등에 43조원 투입
5만명 신규 채용 병행

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG그룹이 2026년까지 국내에만 106조원을 투자한다고 26일 밝혔습니다.

 

LG에 따르면 최근 그룹 내 계열사로부터 투자 및 채용 계획을 집계, 이를 토대로 그룹의 중장기 계획을 확정하고 국내 연구개발(R&D), 최첨단 고부가 생산시설 확충, 인프라 구축 등에 투자 분야와 금액 등을 결정했습니다.

 

LG는 총 투자액 가운데 약 40%인 43조원을 미래성장 분야에 배정할 계획입니다. 그중 절반에 가까운 21조원을 배터리 및 배터리소재, 전장, 차세대 디스플레이, AI·데이터, 바이오, 친환경 클린테크 분야의 R&D에 집중 투입합니다.

 

우선 배터리와 배터리 소재 분야에 5년간 10조원 이상을 투자합니다. LG에너지솔루션은 충북 오창공장에 대한 추가 투자를 단행해 원통형 배터리 등을 생산할 계획입니다.

 

또한 전고체 전지, 리튬황 전지 등 차세대 전지 개발에 주력하는 동시에 배터리 리사이클 등 자원선순환 시스템 구축, 배터리 데이터를 활용한 진단 및 수명 예측 등의 BaaS(Battery as a Service) 플랫폼과 같은 신규 사업도 추진합니다.

 

LG화학은 세계 1위 종합 전지 소재 회사로 성장한다는 목표 아래 양극재, 분리막, 탄소나노튜브 등 배터리 소재 분야에 2026년까지 1조7000억원을 투입할 예정입니다.

 

배터리 소재 육성을 위해 현재 경북 구미에 양극재 공장을 건설 중이며 기술력과 시장성을 갖춘 기업을 대상으로 인수합병(M&A), JV(조인트벤처) 설립 등도 검토하고 있습니다.

 

AI 및 데이터 분야에는 3조6000억원을 투입할 방침입니다. 2020년 그룹 차원의 AI연구 허브로 설립된 'LG AI연구원'을 중심으로 초거대 AI 'EXAONE(엑사원)' 및 AI 관련 연구개발에 집중할 계획입니다.

 

또한 바이오 분야 혁신 신약 개발을 위해 1조5000억원 이상을 투입하며 생분해성 플라스틱, 신재생 에너지 산업소재 등 친환경 클린테크 분야에 5년간 1조8000억원을 투자합니다.

 

아울러 스마트가전, TV, IT·통신 등 기존 주력 사업에도 지속해서 투자해 글로벌 시장에서 각 사업을 '챔피언'으로 육성한다는 목표를 세웠습니다.

 

이와 함께 LG는 5년간 5만명 직접 채용 계획도 공개했습니다. 신규 첨단사업을 중심으로 앞으로 3년간 AI, 소프트웨어(SW), 빅데이터, 친환경 소재, 배터리 등의 R&D 분야에서만 전체 채용 인원의 10%가 넘는 3000명 이상을 채용할 방침입니다.

 

구광모 ㈜LG 대표는 이달 30일부터 한 달간 계열사 경영진들과 함께 '전략보고회'를 열어 중장기 계획을 점검하고 계획대로 실행될 수 있도록 독려할 예정입니다.

 

LG 관계자는 "이번 전략보고회를 통해 LG그룹의 최첨단 고부가 제품 생산기지 및 연구개발 핵심 기지로서 한국의 위상은 지속돼야 한다는데 그룹 내 공감대를 형성할 계획"이라고 말했습니다.

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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