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유틸렉스, 면역항암제 EU10 美 특허 등록 취득…"기술이전 기대"

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Tuesday, January 19, 2021, 10:01:28

전세계 최대 제약 시장인 미국 특허권리 확보로 기술이전 등 실적 기대

 

인더뉴스 김서정 기자ㅣ면역항암제 개발 기업인 유틸렉스(대표 권병세, 최수영)는 면역항암제인 EU103 의 미국 특허권(항 인간 VSIG4 항체와 그 용도)이 지난 18일 미국 특허청에 등록되었다고 19일 밝혔다.

 

EU103은 2가지 작용기작으로 암을 제거한다. 첫번째는 암성장을 돕는 'M2' 대식세포를 암성장을 억제하는 ‘M1’ 대식세포로 전환 시키는 기전이다. 두번째는 M2에서 발현되는 EU103의 target분자가 T세포를 억제하는데 EU103는 이를 차단하여 T세포를 활성화 시킨다.

 

EU103은 다양한 암에 적용 가능한 면역항암제이다. 종양미세환경에 주요한 역할을 하는 ‘M2’ 대식세포를 킬러T세포를 돕는 ‘M1’ 대식세포로 전환시켜 면역반응을 유도할 수 있다. 이를 통해 종양 미세환경의 면역억제를 개선할 수 있다.

 

현재 인체의 면역반응을 활성화해 암을 치료하는 면역관문억제제는 가장 우수한 항암제로 주목 받고 있다. 그러나 반응률이 5~30%에 불과하고 내성이 발생하는 등 한계점이 존재한다.

 

이에 따라 면역항암제 효능에 영향을 미치는 종양미세환경(TME) 요인과 암의 면역회피 기전에 대한 연구가 최근 활발히 진행되고 있다.

 

따라서 유틸렉스의 면역항암제 EU103은 종양미세환경 내 면역세포의 침투를 유도함으로써 기존 면역치료의 내성을 극복할 수 있다. 병용할 경우, 종양미세환경이 개선되어 면역관문억제제의 객관적반응률이 높아질 수 있다고 회사 측은 설명했다.

 

유틸렉스 최소희 부사장은 “바이오 업체가 보유한 파이프라인으로 글로벌 기술이전에 성공하기 위해서는 특허권 확보가 가정 중요한 요소이다”라며 “유틸렉스는 이번 미국 특허 등록으로 다신 한번 유틸렉스의 기술력과 차별화된 특허전략을 인정받았으며 앞으로도 계속 유틸렉스의 글로벌 특허 포트폴리오 구축 및 특허권리 확보에 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

 

이어 “EU103 는 first-in class 혁신신약으로 특허권리 확보가 특히 중요한 파이프라인이고 이번 미국 특허 등록으로 EU103 항체 및 항원결합부위에 대한 미국 특허 권리를 확보하였으며 해당 특허권리는 2040년까지 보호받을 수 있다”고 강조했다.

 

이에 특허권 확보가 어려운 미국에서의 특허 등록으로 유럽, 중국, 일본 등의 주요 시장 및 이외 글로벌 각국의 특허권 확보는 비교적 수월하게 확보할 수 있을 것이라고 회사 측은 설명했다.

 

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김서정 기자 rlatjwjd42@daum.net


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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