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삼성전자, 업계 최초 ‘1Tb QLC 9세대 V낸드’ 양산

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Thursday, September 12, 2024, 09:09:26

9세대 V낸드 QLC, TLC 모두 업계 최초 출시
'채널 홀 에칭' 기술로 더블 스택 구조의 최고 단수 구현
모바일 UFS, PC·서버SSD 등 응용처 확대

 

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자가 AI시대 초고용량 서버SSD를 위한 '1Tb(테라비트) QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔습니다.

 

삼성전자는 지난 4월 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 이번 QLC 제품까치 최초 양산에 성공했습니다.

 

삼성 9세대 V낸드는 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술인 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈습니다.

 

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)를 가졌습니다.

 

삼성전자는 V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해져 이를 위해 '디자인드 몰드(Designed Mold)' 기술을 활용했다고 설명했습니다.

 

'디자인드 몰드'란 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 WL(Word Line)의 간격을 조절하여 적층하는 기술로 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높여 제품 신뢰성을 향상시켰습니다.

 

이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측하여 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램(Predictive Program) 기술' 혁신을 통해 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했습니다.

 

또한, 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(Bit Line)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'을 통해 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소했습니다.

 

삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이라고 밝혔습니다.

 

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI향으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 말했습니다.

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이종현 기자 flopig2001@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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