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LG화학, ‘전지소재 인재 육성’ 한양대와 협업

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Wednesday, April 12, 2023, 16:04:02

산학협력센터 설립해 장학생 선발 예정
매년 10여 명 등록금·생활비·논문 제작비 지원
차세대 양극재 소재 기술 공동 연구 나서

 

인더뉴스 권용희 기자ㅣLG화학[051910]이 한양대학교와 함께 배터리 소재 관련 인재 양성과 미래 기술 공동 개발에 나섭니다.

 

LG화학은 한양대와 전지소재 산합혁력과 우수인재 육성을 위한 업무제휴 협약서(MOU)를 체결했다고 12일 밝혔습니다.

 

LG화학과 한양대는 산학협력센터를 설립하여 장학생 선발과 차세대 기술의 공동 연구를 진행할 계획입니다.

 

LG화학은 "한양대학교가 한국 전지 산업에 기여한 다수의 연구 경험과 노하우, 우수한 인적 자원을 보유하고 있어 시너지가 기대된다"고 밝혔습니다.

 

LG화학은 오는 2025년까지 매년 10여 명 규모의 한양대 산학장학생단을 선정합니다. 배터리공학과뿐만 아니라 전지 소재 관련 학과인 ▲에너지공학과 ▲화학공학과 ▲신소재공학부 ▲유기나노공학과 학생들도 대상입니다.

 

장학생으로 선발된 학생에게는 등록금과 논문 제작비를 지원합니다. 이외에도 생활비 부담을 덜고 연구에 집중할 수 있도록 매월 별도 지원금을 지급합니다. 학위를 취득한 장학생은 LG화학 채용 기준상 결격사유가 없는 한 입사가 보장됩니다.

 

LG화학과 한양대는 차세대 양극재 개발을 위한 공동 연구에도 착수합니다. 양극재의 용량과 출력, 충전 성능 개선 연구를 진행할 예정입니다.

 

이기정 한양대학교 총장은 "배터리 분야는 향후 글로벌 주도권 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 예상된다"면서 "LG화학과 산학협력 맞춤형 프로그램과 연구개발 협업을 통해 최고의 인재를 양성하겠다"고 말했습니다.

 

이향목 LG화학 양극재사업부장은 "차세대 배터리 산업을 이끌어나갈 인재들과 함께 성장하겠다"며 "원천 기술 확보를 위해 연구 지원과 인재 양성을 지속 확대하겠다"고 전했습니다.

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권용희 기자 brightman@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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