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SK하이닉스, 김종환 부사장·김웅래 팀장 ‘발명의 날 기념식’ 정부 포상 수훈

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Wednesday, May 22, 2024, 10:05:11

김 부사장은 철탑산업훈장, 김 팀장은 국무총리표창 수상
AI 메모리 개발 공적 인정받아

 

인더뉴스 이종현 기자ㅣ김종환 SK하이닉스 부사장(D램 개발 담당)이 지난 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '제59회 발명의 날 기념식'에서 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했습니다.

 

특허청은 매년 발명의 날(5월19일)을 맞아 국가 산업 발전을 이끈 유공자들에게 정부 포상을 시행하며 공적에 따라 산업훈장·산업포장·대통령표창·국무총리표창 등을 시상합니다.

 

SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌고 있는 김종환 부사장은 AI 메모리 개발 공적으로 철탑산업훈장을 수상했습니다.

 

김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄하면서 2022년 6월 AI 메모리인 HBM(고대역폭 메모리) 4세대 제품 HBM3 양산에 성공하고 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발해냈습니다.

 

또한, 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory)을 개발하고 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 CXL(Compute eXpress Link) 메모리를 개발하는 데도 기여했습니다.

 

김 부사장은 "첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다"며 "SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가도록 노력하겠다"고 말했습니다.

 

국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능 향상과 원가 절감을 이루어낸 공로를 인정받았습니다.

 

또한, 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 IP(지식재산) 확보에 기여한 점을 높이 평가받았습니다.

 

김 팀장은 "회사의 아낌없는 투자와 함께, 구성원들이 원팀(One Team) 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과"라며 "앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것"이라고 소감을 밝혔습니다.

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이종현 기자 flopig2001@inthenews.co.kr

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삼성전자, 차세대 파운드리 비전 제시…2027년 1.4나노 공정 양산 계획

삼성전자, 차세대 파운드리 비전 제시…2027년 1.4나노 공정 양산 계획

2024.06.13 14:53:05

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 2나노, 4나노 등에 적용되는 차세대 최선단 반도체 파운드리(위탁생산) 공정 기술 로드맵을 제시하고 글로벌 팹리스 AI 시장 확대에 적극 나섭니다. 삼성전자는 미국 실리콘밸리에서 지난 12일(현지시간) '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최하고 AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다고 13일 밝혔습니다. 이번 포럼에서는 고객의 AI 아이디어 구현을 위한 삼성전자의 최선단 파운드리 기술 소개, 메모리반도체와 어드밴스드 패키지 사업부와 협력을 통한 시너지 창출 등에 대한 사업전략이 제시됐습니다. 또한 파운드리, 메모리반도체, 어드밴스드 패키지 사업부가 '원팀'으로 원스톱 AI솔루션을 제공하는 턴키 서비스를 통한 기술, 서비스 차별화 전략도 선보였습니다. 2나노 공정에 후면전력공급 도입…2027년 1.4나노 공정 양산 삼성전자는 이번 포럼에서 BSPDN(후면전력공급 기술, Back Side Power Delivery Network) 기술을 적용한 2나노 공정(SF2Z)을 2027년까지 준비한다고 발표했습니다. BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술입니다. SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA(공정기술 평가하는 소비전력, 성능, 면적의 영어 약자) 개선 효과뿐 아니라, 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압강하 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상 시킨다고 회사 측은 설명했습니다. 광학적 축소(optical shrink)를 통해 PPA 경쟁력이 추가 향상된 신규 4나노 공정 기술 SF4U도 공개하고 2025년에 양산할 예정입니다. 특히, 삼성전자는 2027년에 1.4나노 공정 양산을 계획하고 있으며 목표한 성능과 수율을 확보하고 있다고 설명했습니다. 현재 삼성전자는 3나노 공정에 GAA 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며 올 하반기에 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획입니다. 메모리·패키지와 원팀 협력으로 AI 솔루션 턴키 서비스 제공 삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 사업을 모두 보유해 고객사에 맞춤형 AI 솔루션을 제공하는 데 유리하다고 밝혔습니다 삼성은 세 개 사업 분야간 협력으로 고성능·저전력·고대역폭 강점을 갖춘 통합 AI 솔루션을 제공합니다. 삼성 솔루션을 이용하는 고객사는 공급망을 단순화하면서 편의성은 높여 칩 개발부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축할 수 있다는 설명입니다. 삼성전자는 2027년에는 AI 솔루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술까지 통합해 고객들이 필요로 하는 '원스톱 AI 솔루션'을 제공할 계획입니다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 "AI 반도체에 최적화된 GAA(게이트 올 어라운드) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것이다"고 말했습니다. 삼성전자는 이같은 최선단 공정 기술과 함께 기존 8인치 파운드리 공정 라인에도 PPA와 가격경쟁력을 개선한 공정 기술을 제공하는 등 고객 포트폴리오 다변화를 통해 올해 AI 제품 수주 규모는 작년 대비 80% 이상 성장했다고 밝혔습니다.


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