검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Stock 증권

[코스피 마감] 3230대 회복…삼성전자·SK하이닉스가 상승 주도

URL복사

Tuesday, August 03, 2021, 16:08:18

0.44% 오른 3237.14

 

인더뉴스 최연재 기자ㅣ코스피가 외국인의 현선물 매수세 확대와 반도체주 강세에 힘입어 이틀 연속 상승했다.

 

코스피는 3일 전 거래일 대비 0.44% 오른 3237.14로 마감했다. 지수는 0.05% 내린 3221.57에서 출발해 등락을 반복하다 외국인의 자급 유입으로 상승 전환했다.

 

이날 외국인은 나홀로 6626억원을 순매수하며 지수를 견인했다. 반면 개인과 기관은 각각 6694억원, 350억원을 순매도하며 차익 실현에 나섰다. 

 

이경민 대신증권 연구원은 “삼성전자와 SK하이닉스 강세에 3230선까지 회복됐지만, 중화권 증시가 규제에 따른 불확실성을 보여 국내 증시는 개인과 기관의 매물이 출회돼 일부 상승폭을 반납했다”고 분석했다.

 

상해종합, 홍콩항셍 등 아시아 증시는 혼조세를 보였다. 최근 중국 사교육 플랫폼 기업에 대한 당국의 규제가 이어지자 향후 온라인 게임 산업에 대한 강도 높은 규제가 발표될 수 있다는 우려가 커진 탓이다.

 

밤사이 뉴욕증시는 제조업 지표가 엇갈렸고, 긴축 우려가 나오면서 혼조세로 마감했다. 다우존스30산업평균·S&P500 지수는 전장보다 하락한 반면 나스닥 지수는 올랐다.

 

코스피 시가총액 상위 10개 종목 중 카카오(-1.37%), 네이버(-1.27%), LG화학(-1.27%), 삼성바이오로직스(-0.44%) 등은 하락했다.

 

삼성전자는 2분기 반도체 매출에서 인텔을 제치고 세계 1위에 올랐다는 소식에 2.65% 상승했다. SK하이닉스도 덩달아 3.45% 오르며 강세를 보였다. 그 외에도 현대차(1.59%), 삼성전자우(1.50%), 셀트리온(0.57%), 삼성SDI(0.27%) 등이 상승했다.

 

업종별로 철강금속(-3.9%), 기계(-1.7%), 운수창고(-1.01%), 비금속광물(-0.98%), 섬유의복(-0.98%) 등이 하락했다. 중국 게임 산업 규제 가능성에 대한 우려로 엔씨소프트(-1.70%), 넷마블(-1.82%) 등 게임주가 약세를 보였다. 반면 의료정밀(3.61%), 전기전자(2.05%), 운수장비(0.93%), 제조업(0.83%), 대형주(0.7%) 등은 상승했다.

 

유가증권시장 거래량은 6억4285만주, 거래대금은 12조2916억원이었다.

 

코스닥 지수는 전일 대비 0.16% 내린 1036.11에 마감됐다.

 

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

최연재 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너