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[코스피 마감] 기관 매수에 사흘째 소폭 상승...3240선 회복

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Thursday, July 29, 2021, 16:07:16

0.18% 오른 3242.65

 

인더뉴스 최연재 기자ㅣ코스피가 사흘 연속 소폭 상승세로 마감했다. 금융투자를 중심으로 한 기관의 매수세가 지수 상승을 견인했다.

 

코스피는 29일 전 거래일 대비 0.18% 오른 3242.65에 마감했다. 지수는 0.36% 오른 3248.49에서 출발해 3250선을 찍기도 했지만 상승세를 일부 반납한 뒤 장을 마쳤다.

 

이날 외국인과 개인은 각각 2265억원, 173억원을 순매도했다. 반면 기관은 홀로 2587억원어치의 물량을 사들이며 매수 우위를 보였다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “연방준비제도(연준)의 통화완화정책 기조 유지와 차이나 리스크 완화로 장 초반 3250선을 상회하기도 했지만, 외국인의 선물 순매세가 축소돼 오전 상승폭을 반납했다”면서 “외국인 자금이 중화권 증시로 쏠려 상대적으로 부진했다”고 분석했다.

 

전날 중국 증권감독관리위원회는 대형 투자은행 고위 간부들과의 화상회의에서 규제의 목표는 사교육시장이며 다른 산업의 기업에 해를 끼칠 의도가 없다며 시장 달래기에 나섰다. 이에 증권시장은 불확실성이 완화되는 모습을 보였다.

 

밤 사이 뉴욕증시는 대형 IT 기업의 실적 호조에도 미 연방공개시장위원회(FOMC) 결과에 혼조세로 마감했다. 나스닥지수는 오른 반면 다우존스30산업평균지수와 스탠더드앤드푸어스(S&P)500지수는 전장보다 하락했다.

 

연준은 7월 FOMC에서 자산 매입 프로그램 축소를 위한 목표치로의 진전을 이뤘다고 평가해 다음 회의에서 테이퍼링 축소 가능성을 시사했다.

 

코스피 시가총액 상위 10개 종목 중 삼성SDI(0.79%), 삼성바이오로직스(0.55%), 카카오(0.34%), 삼성전자우(0.28%) 등은 상승했다. 반면 네이버(-0.57%), 삼성전자(-0.25%), 현대차(-0.22%) 등은 하락했다. 이날 삼성전자는 2분기 어닝 서프라이즈를 기록했다.

 

업종별로는 철강금속(-1.21%), 운수창고(-0.68%), 의료정밀(-0.59%), 화학(-0.25%), 기계(-0.23%) 등은 하락했다. 상승한 업종은 음식료업(1.97%), 섬유의복(1.53%), 비금속광물(1.14%), 보험(0.84%), 중형주(0.79%) 등이다.

 

유가증권시장 거래량은 6억8210만주, 거래대금은 10조3242억원이었다.

 

코스닥 지수는 전일 대비 0.82% 오른 1044.13에 마감됐다.

 

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최연재 기자 stock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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