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SK하이닉스 “인텔 낸드 인수, 하반기에 중국 승인 기대”

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Tuesday, July 27, 2021, 12:07:17

“낸드 사업 3분기 흑자전환할 것”

 

인더뉴스 이진솔 기자 | SK하이닉스(대표 박정호·이석희)가 27일 올해 2분기 실적발표 이후 이어진 컨퍼런스콜에서 “(인텔 낸드플래시 사업부 인수와 관련해)중국을 제외한 7개국으로부터 무조건부 승인을 받았다”며 “올해 연말 문제 없이 마무리될 것 으로 예상한다”고 밝혔습니다.

 

SK하이닉스는 지난해 10월 인텔 낸드플래시 메모리 및 SSD 사업 부문을 약 10조원에 인수하는 계약을 맺고 지난 1월 기업결합을 신고했습니다. 현재 인텔 낸드플래시 사업부 인수를 위해 심사 대상 8개국 중 미국, EU, 한국, 대만, 브라질, 영국, 싱가포르 등 7개국으로부터 승인을 받은 상황입니다.

 

SK하이닉스는 “중국은 현재 파이널 리뷰로 넘어간 단계”라며 “하반기 적절한 시점에 중국으로부터 필요한 모든 승인을 받을 수 있을 것으로 기대한다”고 말했습니다.

 

이날 SK하이닉스는 2분기 경영실적을 잠정 집계한 결과 매출 10조3217억원, 영업이익 2조6946억원을 기록했다고 밝혔습니다. 지난해 2분기와 견줘 각각 19.91%, 38.3% 증가했습니다. 2분기에는 3년 만에 분기 매출 10조원 이상을 달성했습니다. 메모리 시장 호황이 이어지면서 거둔 성과로 풀이됩니다.

 

SK하이닉스는 하반기에도 메모리 반도체에 대한 높은 수요가 이어질 것으로 전망했습니다. 서버용 CPU가 새로 출시되고 5G(5세대 통신) 보급이 늘어날 것으로 예상되기 때문입니다.

 

SK하이닉스는 “올해 하반기에 계절적 성수기까지 합쳐져 낸드 수요는 2분기 대비 많이 증가할 것”이라며 “낸드 사업은 3분기 턴어라운드를 예상하며 연간으로도 흑자 전환을 기대한다”고 말했습니다. 증권업계에서는 SK하이닉스 낸드 사업이 2018년 4분기부터 지속 적자를 이어온 것으로 추정하고 있습니다.

 

SK하이닉스는 극자외선 노광장비(EUV)로 생산하는 4세대(1a) D램 제품 양산을 시작했습니다. 회사 측은 “EUV를 사용하긴 하지면 본격 적용 전 테스트 성격이 있다”며 “기존 제조 플랫폼을 유지하고 있어 빠른 수율 상승이 이뤄질 것으로 기대한다”고 말했습니다.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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