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DL이앤씨, 국내 최대 규모 철도 아치교량 건설 마쳐

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Tuesday, July 20, 2021, 15:07:04

서해선 복선전철 핵심공정 마무리‥총 6개 형식으로 구성

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣDL이앤씨(대표 마창민)는 서해선 복선전철 사업의 핵심공정으로 평가받는 국내 최대의 철도 아치교 건설작업을 마무리했다고 20일 밝혔습니다.

 

교량은 경기도 평택시 현덕면과 충청남도 아산시 영인면을 가로지르는 안성천 위에 건설됐습니다. 올해 2월부터 130일 동안 육상에서 제작된 아치는 지난 16일 아침 바지선에 옮겨졌습니다. 선적 후 안성천 수면으로부터 23m 높이에 있는 교각에 안전하게 설치됐습니다. 이번 설치작업으로 DL이앤씨가 건설중인 서해선(홍성~송산) 복선전철 제 5공구 전 구간이 연결됐습니다.

 

아치교량은 총 5개의 아치 구조물로 구성됐습니다. 가장 큰 아치 양쪽으로 1681톤의 아치 2개와 1255톤의 아치 2개가 연결되는 모습입니다. 이번에 설치한 아치는 길이 155m, 높이 46.5m, 무게는 2726톤으로 한강에 설치된 서강대교 아치교와 비슷한 규모입니다.

 

DL이앤씨는 철도교량 시공에 국내 최초로 대선식 일괄 가설 공법을 활용했는데요. 이 공법은 교량 위 구조물을 육상에서 미리 조립한 후 바지선을 이용해 시공 위치로 옮겨와 교각 위에 설치하는 방법입니다. 작업이 용이한 육상에서 구조물을 조립하기 때문에 균일한 품질을 확보할 수 있습니다. 또한 교량 상부와 하부의 작업을 독립적으로 진행해 공사기간 단축의 이점도 있습니다.

 

서해선(홍성~송산) 복선전철 사업은 국가철도공단에서 총 10개의 공구로 나눠 발주했습니다. 서해안축 남북 종단 철도망을 구축해 교통의 편리성을 확보하는 한편, 물동량 급증으로 선로용량 부족에 시달리고 있는 경부선의 용량 부담을 해소하기 위해서 추진됐습니다. 최고 250km/h의 설계 속도를 반영해 시공돼 고속 여객열차와 일반 화물열차가 함께 활용할 수 있습니다.

 

DL이앤씨는 아산에서 평택까지 연결되는 총 연장 5999m에 이르는 5공구 사업을 담당하고 있습니다.

 

주거 지역 인근에는 소음 방지에 탁월한 사판교를 시공하고 농경지에는 고속철도 운행에도 지반에 영향을 최소화하는 PSC(프리스트레스 콘크리트) 박스 거더교가 시공됐습니다. 이 밖에도 사장교의 발전된 형식인 ED(엑스트라도즈드)교, 곡현 트러스교, 복합트러스교 등이 주변 환경을 고려해 시공됐습니다.

 

한편, DL이앤씨는 국가철도공단 사업에서 10년간 중대재해없이 현장을 운영하고 있다고 밝혔습니다. ‘서해선 홍성-송산 5공구’를 포함해 ‘도담-영천 전철 6공구’, ‘포승-평택 철도 1공구’ 등 철도교에 특화된 실적들을 보유하고 있다고 회사는 전했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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