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SKIET, 중국서 분리막 공장 추가 가동한다

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Tuesday, April 13, 2021, 11:04:27

전 세계 생산거점서 생산능력 10.4억㎡로 늘어..2024년 27.3억㎡ 전망

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣSK이노베이션의 소재사업 자회사 SK아이이테크놀로지(이하 SKIET)가 최근 중국 강소성 창저우에 위치한 분리막(LiBS, Lithium-ion Battery Separator) 2공장 상업 생산을 시작했다고 13일 밝혔습니다.

 

SKIET(대표 노재석)는 지난해 11월 상업 가동을 시작한 중국 창저우 1공장에 이어 5개월만에 창저우 2공장 가동을 시작해 중국 전기차 배터리 시장 공략에 나선다고 전했습니다.

 

SKIET는 2공장 총 생산능력 3.4억㎡ 중 1.7억㎡를 부분 가동 가동하면서 기존 1공장 생산능력인 3.4억㎡를 포함해 중국에서만 5.1억㎡ 생산능력을 갖추게 됐습니다. 이는 매년 고용량 전기차 약 50만대에 필요한 분리막을 생산할 수 있는 수준입니다. 2공장의 나머지 생산라인은 내년 1분기 가동을 목표로 생산을 준비하고 있는 것으로 전해집니다.

 

이번 창저우 2공장 가동으로 SKIET가 한국, 폴란드, 중국 등에서 확보한 생산능력은 10.4억㎡에 이릅니다. 연간 전기차 100만대에 쓸 수 있는 분리막 생산 규모 이정표를 썼습니다. 2024년 생산능력은 27.3억㎡가 됩니다.

 

SKIET는 이번 창저우 2공장을 가동하기 이전부터 이미 올해 생산할 물량에 대한 공급 계약을 마무리 지었습니다. 또한 SKIET는 최근 빈발하고 있는 전기차 배터리 화재 원인 중 하나로 분리막이 언급되면서 아직까지 단 한 건의 화재도 발생하지 않은 SKIET 분리막을 찾는 고객들이 늘고 있다고 밝혔습니다.

 

SK아이이테크놀로지는 프리미엄 분리막을 제조할 수 있는 ‘축차연신’, ‘세라믹코팅분리막(CCS; Ceramic Coated Separator)’ 등 기술 경쟁력으로 시장을 선도하고 있습니다.

 

시장조사기관 SNE리서치에 따르면 SKIET는 지난해 ‘티어1(Tier1)’ 습식 분리막 시장에서 점유율 26.5%로 세계 1위를 차지했습니다. 티어1은 테슬라, 폭스바겐, 르노닛산, 도요타, 현대기아차 등 전기차 시장을 이끄는 완성차 업체들을 말합니다. 티어1 분리막 시장은 이들 기업에 공급되는 분리막 시장입니다. SKIET를 비롯 일본의 아사히카세이, 도레이 등 고품질 분리막을 생산할 수 있는 기업들만이 진입해 있습니다.

 

노재석 SK아이이테크놀로지 사장은 “성능과 안전성 모두 잡은 프리미엄 분리막을 공급해 전 세계 전기차 시장이 빠르게 성장할 수 있도록 기여하는 한편 독보적인 시장 선두 체제를 구축하기위해 생산능력과 기술력을 지속해서 높여갈 것”이라고 강조했습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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