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정부-삼성·SK 반도체 사태 머리 맞댔다...“세액공제 등 정부 지원 필요”

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Friday, April 09, 2021, 10:04:41

성윤모 산업부 장관 반도체협회 회장단과 간담회..민‧관 공동 협력키로
반도체 업계 對정부 건의문 제출..정부, 반도체 공급망 대책 조만간 발표

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ최근 글로벌 반도체 공급망 관련 정부와 국내 반도체 업계가 머리를 맞댔습니다. 국내 반도체 활성화를 위한 인력 육성과 글로벌 반도체 공급망 안정화 등 대응 방안을 논의하는 가운데, 정부가 어떤 대책을 내놓을지 주목됩니다. 

 

9일 산업통상자원부(장관 성윤모, 이하 산업부)에 따르면 성윤모 산업부 장관은 ‘반도체협회 회장단 간담회’를 진행했습니다. 이번 간담회에서 정부와 업계는 ▲글로벌 반도체 공급 부족 현상 ▲주요국 반도체 산업 육성 정책 등 최근 주요 동향을 공유하고 ▲국내 투자 확대 ▲정부 지원방안 등 향후 대응방안을 집중 논의했습니다. 

 

업부와 업계는 최근 전세계적인 반도체 공급 부족 현상과 관련해 우리나라가 글로벌 IT산업의 핵심부품인 반도체 생산기지로서, D램의 71%, 낸드의 45%, 첨단 파운드리의 40% 등 반도체의 안정적인 공급을 통해 세계경제의 활력 회복에 기여한다는 데에 공감했습니다. 

 

또한 ▲글로벌 공급망 안정화, ▲민간투자 확대, ▲인력 양성, ▲차량용 반도체 부족 대응방안, ▲차세대 전력반도체‧AI 반도체와 같은 신시장 개척 등 반도체 관련 최근 주요 현안에 대해 의견을 교환했습니다. 

 

반도체협회 회장단은 이 자리에서 “반도체 산업 발전을 위한 산업계 건의문”을 전달하고 향후 정책에 반영해 줄 것을 요청했습니다. 

 

업계는 ▲국내 반도체 제조시설 구축 확대를 위한 인센티브 지원 확대, ▲반도체 초격차를 이끌어 갈 우수한 인재 양성 및 공급 ▲국내 반도체 공급망 안정화 지원 ▲반도체 산업을 둘러싼 급변하는 국제 정세에 능동적 대응을 위한 정부 지원 등을 건의했습니다. 

 

예컨대 ▲반도체 R&D와 제조시설 투자비용의 50%까지 세액공제 확대 ▲반도체 제조시설 신·증설시 각종 인·허가 및 전력·용수·폐수시설 등 인프라 지원 ▲원천기술개발형 인력양성 사업 조속한 추진 ▲수도권 대학의 반도체 관련 학과 신설 및 정원 확대 등입니다. 

 

성윤모 산업부 장관은 “최근 반도체 산업은 기업간 경쟁을 넘어 국가간 경쟁에 직면한 만큼, 정부와 민간이 힘을 합쳐 당면한 위기를 극복해 나가야 할 시점”이라며 “우리나라는 글로벌 반도체 생산기지로서 충분하고 안정적인 공급을 통해 세계경제에 기여해야 한다”고 강조했습니다. 

 

이어 “메모리‧파운드리 생산능력 확충 등 안정적 공급망 구축을 위해 민간의 적극적 투자 확대를 주문하고, 산업 생태계 활성화를 위한 연대와 협력의 필요성”을 덧붙였습니다. 

 

아울러 성 장관은 “정부 차원에서도 우리나라를 세계 최고의 첨단 반도체 제조의 글로벌 공장으로 조성하고 종합 반도체 강국으로 도약하기 위한 전략을 마련 중”이라면서 “오늘 회의에서 제기된 업계의 대정부 건의사항을 반영해 우리 반도체 산업 생태계 강화에 실질적 도움이 될 수 있는 종합정책(K-반도체 벨트 전략)을 수립해 조만간 발표하겠다”고 말했습니다.

 

이정배 삼성전자 사장은 “반도체 산업의 지속적 발전을 위해서는 반도체 인력양성을 위한 정부 차원의 종합적 지원 체계 구축이 필요하며, 국내 반도체 제조시설 확대에 대한 세액 공제 등 정부의 정책 지원 강화해달라”고 당부했습니다. 

 

앞서 이 사장은 지난 3월 반도체협회 회장 임기를 시작했는데요. 이날 간담회에서 이 사장은 “반도체 산업은 인공지능, 자율차, 바이오 등 미래 산업 발전이 필수이며, 국가 경제를 이끌어 가는 핵심산업”이라고 강조했습니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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