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美 CNBC “로빈후드, 정계 로비 본격 착수”

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Wednesday, February 10, 2021, 10:02:43

로빈후드 사내 법률자문들, 로비스트로 등록
“월스트리트 세법 등 입법 차단 로비 시동”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ미국 온라인 증권사 로빈후드가 회사 수익에 부정적인 영향을 줄 수 있는 법 통과를 막으려 로비에 착수했다는 보도가 나왔습니다. '게임스톱 사태' 당시 거래 제한 조치로 개인투자자들과 정치권의 분노를 산 직후 보인 행보여서 더욱 주목됩니다.

 

지난 9일(현지시각) CNBC와 미국 정치전문매체 폴리티코에 따르면 로빈후드는 사내 조직을 로비스트로 등록했습니다. 그동안 외부 로비회사 4곳에 용역을 맡기던 로빈후드가 내부 구성원들을 직접 로비스트로 등록한 것은 이번이 처음입니다.

 

이번에 로비스트로 등록된 사내 인사는 로빈후드의 법률자문위원들인 베스 조크와 루카스 모스코위츠입니다. 조크는 과거 상원 은행위원회와 하원 금융위원회 소속으로 일한 바 있고, 모스코위츠는 제이 클레이턴 전 증권거래위원회(SEC) 위원장의 비서실장을 지냈습니다.

 

CNBC는 “로빈후드가 이번 등록을 통해 공개한 로비 대상은 영업모델에 타격이 될 수 있는 법안들”이라며 “대표적인 타깃은 피터 디파지오(민주·오리건) 하원의원과 브라이언 샤츠(민주·하와이) 상원의원이 2019년 발의한 월스트리트 세법”이라고 전했습니다.

 

이 법은 주식, 채권, 파생상품 등의 특정 금융거래에 0.1%의 국내소비세를 부과하는 내용을 골자로 합니다. 사실상 거래세를 부과하는 조치여서 최근 게임스톱 등 일부 종목의 거래 과열로 빚어진 부작용을 완화할 수 있는 법안으로 주목받고 있습니다.

 

법안이 통과되면 고객의 주식거래 주문을 대형 증권사들에 넘기는 대가로 보상금을 받는 로빈후드에는 부담이 커질 수 있다는 평가입니다. 고객이 아닌 대형증권사으로부터 돈을 버는 수익 구조로 로빈후드가 개인이 아닌 기관의 편을 들고있다는 의심을 커지고 있습니다.

 

온라인 커뮤니티를 통해 뭉친 개미들이 게임스톱 주가를 폭등시켜 공매도 세력에 막대한 손실을 입히자, 로빈후드는 개인의 해당 종목 매수를 전격 중단시키고 최근까지 매수 주식 수를 제한했습니다.

 

회사 측은 주가 폭등에 따른 증거금 상향 부담 때문이라고 해명했으나, 개인투자자들은 대형 증권사들의 돈을 받는 로빈후드가 헤지펀드들의 편을 든 것으로 의심했습니다. 미국 정치권도 당파와는 상관없이 이에 대한 비판을 쏟아냈습니다.

 

하원 금융위는 오는 18일 로빈후드를 상대로 청문회를 개최하고, 상원 금융위도 비슷한 청문회를 소집할 계획입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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