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부산대 김지희 교수팀, 단일층 반도체서 전하 증폭 한계치 실현

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Tuesday, July 29, 2025, 14:07:03

태양전지 이론 효율 극복할 핵심 물리현상 입증
탄도 확산 통한 양자 효율 200% 실험적 검증

 

인더뉴스 제해영 기자ㅣ부산대학교 물리학과 김지희 교수 연구팀이 성균관대, 충북대와 공동으로 단일층 2차원 반도체에서 전하 증폭의 이론적 한계치를 실험적으로 구현했습니다.

 

이번 연구는 기존 태양전지 효율의 물리적 한계를 극복할 수 있는 핵심 메커니즘을 입증한 것으로, 차세대 태양전지 및 양자 광전 소자 개발의 돌파구를 마련했다는 평가를 받고 있습니다.

 

연구팀은 단일층 MoSe2에서 하나의 광자가 2쌍의 전하를 생성하는 전하 증폭 현상을 구현하고, 양자 효율 200%를 실험적으로 달성했습니다.

 

핵심은 펨토초 레이저를 활용한 초고속 분해 측정을 통해, 고에너지 전자(핫캐리어)가 결함 없이 수 마이크로미터를 이동하는 ‘탄도 확산’ 현상을 실시간으로 관측한 점입니다.

 

또한 밀도범함수 이론(DFT)을 기반으로, MoSe2 단일층이 갖는 밴드 네스팅과 밸리 대칭성 구조가 전하 증폭 조건을 만족함을 이론적으로 규명했습니다.

 

김지희 교수는 “2차원 반도체 구조가 다른 차원 구조보다 더 높은 전하 증폭 효율을 가질 수 있다는 이론을 최초로 실험적으로 입증했다”고 강조했습니다.

 

이어 “이번 연구는 2차원 반도체의 구조·전자적 특성이 고효율 에너지 변환의 핵심이라는 점을 정량적으로 보여준 사례로, 향후 양자 정보 처리, 초고속 센서 등 다양한 기술의 기반이 될 것”이라고 덧붙였습니다.

 

이번 연구 결과는 재료공학 분야 국제 학술지 'Materials Horizons' 7월 1일자에 게재됐으며, 논문 제목은 ‘Hot carrier diffusion-assisted ideal carrier multiplication in monolayer MoSe2’입니다. (DOI: https://doi.org/10.1039/D5MH00230C)

 

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제해영 기자 tony@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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