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전략산업 자금지원 ‘정책금융지원협의회’ 출범

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Wednesday, December 14, 2022, 17:12:03

산업부·중기부 등 산업정책 부처 참여
산업은행·기업은행 등 정책금융기관도
핵심산업정책 정책금융 지원수요 반영

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ국가전략산업에 정책금융 지원을 강화하기 위한 '정책금융지원협의회'가 출범합니다.


14일 금융위원회에 따르면 김소영 부위원장은 이날 정부서울청사에서 '제1차 정책금융지원협의회' 회의를 주재하고 내년 정책금융기관의 정책금융 지원방향을 논의했습니다.


김소영 부위원장은 모두발언을 통해 "최근 주요국은 글로벌 공급망을 재편하기 위해 자국중심 산업정책을 강화하고 미래전략산업에서 초격차 지위를 확보하고자 금융·세제 등 적극적인 산업육성 정책을 경쟁적으로 추진하고 있다"고 진단했습니다.


그러면서 "우리 경제를 둘러싼 대내외 여건을 고려할 때 정책금융과 산업정책의 유기적 연결이 어느 때보다 중요하다"며 "이번 정책금융지원협의회 출범을 계기로 정책금융과 산업부처 간 긴밀한 협조체계를 구축해 정책금융을 보다 효과적으로 필요한 곳에 공급하도록 하겠다"고 의지를 밝혔습니다.


정책금융지원협의회는 차관급인 금융위원회 부위원장 주관으로 산업통상자원부, 중소벤처기업부, 과학기술정보통신부, 국토교통부, 해양수산부, 문화체육관광부, 보건복지부 등 산업정책 담당부처가 참여합니다. 정책금융기관으로는 산업은행, 기업은행, 신용보증기금이 참여합니다.


협의회에서는 각 정부부처가 분야별 주요 산업정책 과제와 정책금융 지원 필요사항을 제안하고 협의를 거쳐 정책금융기관이 연도별 자금공급 방향을 확정하게 됩니다.


이번 정책금융지원협의회 개최에 앞서 각 부처와 정책금융기관이 지난 10월부터 실무협의체를 열어 부처별 정책금융 지원과제를 논의한 결과 내년도 정책금융 공급방향은 국정과제를 중심으로 각 부처가 제시한 산업전략 분야에 공급역량을 집중하기로 했습니다.


미래전략산업 초격차 확보, 바이오·디지털 등 유망 신산업 육성, 제조업 등 산업구조 고도화 등 국정과제가 해당됩니다.


확정된 자금공급 계획은 오는 26일 관계부처와 정책금융기관 협약식을 통해 발표될 예정입니다.


김소영 부위원장은 "확정된 정책금융 지원계획에 대해선 자금집행 실적을 주기적으로 점검하고 정책수요 반영이 미진한 부분은 수시보완할 것"이라며 "일방적인 자금공급에 그치지 않고 정부부처와 정책금융기관간 시너지를 높일 수 있는 협업방안도 지속적으로 강구하겠다"고 말했습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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