검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Stock 증권

이엔플러스, 고품질 CNT 양산 기술 특허 확보

URL복사

Wednesday, September 21, 2022, 17:09:36

차세대 2차전지 소재 개발

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ이엔플러스는 공시를 통해 전남대학교산학협력단으로부터 ‘탄소나노튜브 번들 합성용 촉매의 제조 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브(CNT) 번들의 제조 방법’ 특허권을 취득했다고 21일 밝혔다. 이엔플러스는 관련 공정기술을 기반으로 분산성 및 전도성이 우수한 도전재 등 ‘차세대 2차전지용 소재’ 개발에 나설 방침이다.

 

이엔플러스가 확보한 이번 특허는 물성이 우수한 CNT 집합체를 제조하기 위한 고품질 촉매 제조 기술로 평균입경 10㎛(마이크로미터) 이하의 ‘초소형 촉매 입자’ 생산에 핵심적인 공정 특허다.

 

CNT는 구리 및 다이아몬드와 전기·열 전도율이 동일하며 철강의 100배에 달하는 강도를 지니고 있어 배터리를 포함해 반도체·디스플레이 분야에서 차세대 소재로 주목받고 있다고 회사측은 설명했다. 배터리 핵심 소재인 양극재 내에서 도전재로 사용할 경우 리튬이온의 전도도를 높여 충·방전 효율을 증대시킨다고 덧붙였다.

 

지금까지 개발된 CNT 합성 방법은 ▲레이저 증착법 ▲전기 방전법 ▲플라즈마화학기상 증착법 ▲열화학기상 증착법 ▲촉매화학기상 증착법 등이 있다.

 

이 가운데 이엔플러스가 채택한 촉매화학기상 증착법은 타 방법 대비 상대적으로 낮은 가격에서 대량으로 고품질 CNT를 합성할 수 있다는 장점이 있다고 회사측은 설명했다. 하지만 촉매의 크기 및 형태에 따라 CNT 합성 시 집합체의 불균질 또는 응집이 발생할 수 있다는 점이 단점으로 평가받고 있다.

 

이엔플러스는 이런 단점을 극복하기 위한 기술개발에 집중해왔고 전남대학교산학협력단으로부터 합성된 집합체의 분산성을 높여 집합체 간 응집이 적은 우수한 품질의 CNT 집합체를 제조할 수 있는 공정기술을 확보하는데 성공했다고 전했다.

 

이엔플러스 관계자는 “CNT는 양극 도전재로 사용할 경우 기존 카본블랙 소재보다 전기전도도가 높기 때문에 사용량을 30%가량 줄일 수 있다”며 “줄인 도전재 무게만큼 양극재를 더 넣을 수 있어 배터리 용량과 수명을 증가시키는 효과는 물론, 동일한 성능을 내는데 필요한 생산 단가도 낮출 수 있다”고 말했다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너