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금융위, 내년부터 보험사 ‘해약환급금 준비금’ 별도 적립

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Thursday, August 25, 2022, 13:08:46

IFRS17 도입 시 해약환급금 부족 사태 대비
보증준비금, 법정준비금으로 이관

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ금융당국이 내년 새 국제회계기준(IFRS17) 도입 이후 보험사의 해약환급금 부족 사태에 대비해 감독회계 상 '해약환급금준비금'을 신설합니다.

 

금융위원회는 '보험 자본건전성 선진화 추진단' 제10차 회의를 개최하고 IFRS17 도입 이후 준비금 적립방안을 논의했다고 25일 밝혔습니다.

 

금융위에 따르면, 현재 IFRS17 도입 후 보험부채 시가평가 시 보험회사가 적립하는 보험부채가 감소해 해약환급금과 보증준비금에 미달할 가능성이 있습니다.

 

해약환급금은 가입자가 보험 계약을 해지할 때 보험자(보험사)에서 반환받는 금액입니다. 보증준비금은 종신보험이나 변액보험 등의 투자 실적과 무관하게 일정 수준 이상으로 보험금과 환급금을 가입자에게 지급하기 위해 적립하는 준비금입니다.

 

내년부터 IFRS17이 적용되면 보험사의 모든 부채는 원가가 아닌 시가로 평가됩니다. 제도 도입 논의가 시작한 2~3년 전에는 IFRS17 도입으로 보험사의 부채가 증가할 것이라는 예상이 많았지만 지난해 하반기부터 금리가 인상되면서 상황이 달라졌습니다.

 

 

금융위 관계자는 "감소된 부채는 자본(이익잉여금)으로 전환되면서 보장기능을 확보하기 위한 부채 항목이 자본으로 전환될 경우 제한없이 주주배당 등으로 사외 유출될 우려가 있어 감독방안을 마련했다"고 설명했습니다.

 

금융위는 감독회계 상 해약환급금 부족액을 이익잉여금 내 '해약환급금준비금(법정준비금)'으로 적립하도록 할 방침입니다. 법정준비금은 배당가능 이익에서 제외돼 해약환급금 부족액의 사외유출을 방지할 수 있습니다.

 

 

또한 금융위는 보험사가 부채 항목으로 적립하는 '보증준비금'도 이익잉여금 내 법정준비금으로 이관하기로 헀습니다

 

이는 기존에 부채로 적립한 보증준비금과 장래에 받은 보증수수료를 보증준비금으로 적립해 해약환급금 준비금과 동일하게 법정준비금으로 설정하면 사외로 유출이 제한되는 효과가 있습니다.

 

금융위는 이번 개정 사항을 3분기에 사전예고 등 절차를 거쳐 내년부터 시행할 예정입니다.

 

금융위 관계자는 "IFRS17 시행을 위한 보험업법 개정안의 국회 통과 등 법령 개정작업을 차질없이 추진하고 IFRS17 시행에 따른 영향 분석과 업계 준비현황 등을 면밀히 점검할 계획이다"고 말했습니다.

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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