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옐런 美 재무부 장관, LG화학 ‘마곡R&D캠퍼스’ 찾은 까닭은?

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Tuesday, July 19, 2022, 14:07:13

옐런 장관, 한국 기업 중 유일하게 LG화학 방문
LG화학 차세대 전지 소재 살펴보고 양국 기업간 협력 논의

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣLG화학은 신학철 부회장이 재닛 옐런(Janet Yellen) 미국 재무부 장관과 만나 전지 소재 공급망 강화를 위한 협력 방안을 논의했다고 19일 밝혔습니다. 

 

LG화학에 따르면 이날 앨런 장관은 방한 첫 일정으로 서울 강서구 LG화학 마곡 R&D 캠퍼스를 방문했습니다.  LG사이언스파크 마곡 R&D캠퍼스에는 LG화학의 차세대 양극재와 분리막 등 미래 전지 소재 연구 시설이 모여 있는 곳입니다.  인도·태평양 지역을 순방 중인 옐런 장관은 한국 기업 중 유일하게 LG화학을 찾았습니다. 

 

한 시간이 넘게 진행된 이번 방문에서 신학철 LG화학 부회장은 옐런 장관과 함께 LG화학의 전지 소재 기술과 지속가능 전략이 담긴 전시장을 둘러보고, 소재 공급망 구축에 대한 협력 방안을 논의했습니다.

 

옐런 장관은 이 자리에서 "LG화학이 배터리 소재 분야에서 어떻게 혁신을 이루고 있는지 직접 확인할 수 있는 소중한 기회"였다며 "여러분과 같은 한미 양국 기업들이 노력해준 덕분에 양국이 굳건한 경제 동맹으로 성장했다"고 말했습니다. 

 

LG화학은 전기차 시장 성장과 함께 수요가 급격히 증가하고 있는 전지 소재 분야를 적극 육성하고 있습니다. 이를 위해 양극재부터 분리막, CNT(탄소나노튜브), 방열접착제, 음극바인더, BAS(Battery Assembly Solution) 등 사업 포트폴리오를 강화하고 있으며, ‘세계 최고 종합 전지 소재 회사’를 목표로 2025년까지 6조원의 과감한 투자 계획도 진행 중에 있습니다. 

 

특히 세계 최대 자동차 시장 중 하나인 북미 지역에서 배터리 공급망을 현지화하기 위한 투자액(자회사 LG에너지솔루션 포함)은 2020년부터 2025년까지 110억 달러 규모를 상회할 것이란 예상입니다. 또한 양극재 공장 신설도 적극 검토하고 있습니다. 이번 옐런 장관과 논의를 통해 공급망 협력에 속도가 붙으면 LG화학의 북미 배터리 소재 관련 투자도 한 층 빨라질 전망입니다. 

 

현재 LG화학의 배터리 제조 자회사인 LG에너지솔루션만 해도 합작사 형태로 미국 오하이오, 테네시, 미시건과 캐나다 온타리오주 등에 생산시설을 확충하고 있습니다. 

 

신학철 부회장은 "세계 최대 자동차 시장 중의 하나인 미국은 LG화학의 전기차용 배터리 연구개발이 본격화된 곳으로 미국 내 주요 자동차 제조 기업들과는 오랜 시간 긴밀한 협력 관계를 이어 왔다"며 "전지 소재 분야에서도 미국 주요 기업들과 협력 관계를 강화하고, 세계 최고 종합 전지 소재 회사로 도약하기 위해 새로운 혁신을 선보이겠다"고 말했습니다. 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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