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현대ENG, 원자력사업실 신설…SMR 사업 추진 속도

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Monday, May 23, 2022, 14:05:18

전문인력 보강 및 외부영입 통해 원자력사업실 구성
소형원자로 생산 등 SMR 사업영역 확대 전략도 세워

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대엔지니어링이 원자력사업실을 신설하는 등 소형모듈원전(SMR) 분야 공략에 나섰습니다. 

 

현대엔지니어링은 기존 팀 단위 조직이었던 원자력부문을 격상한 원자력 사업 전담 조직인 ‘원자력사업실’을 신설했다고 23일 밝혔습니다. 신설된 원자력사업실은 기존 원자력 분야 인력에 설계 인력을 보강하고 외부 전문 인력도 영입해 원자력 영업∙수행 등을 맡게 됩니다.

 

현대엔지니어링에 따르면, 원자력 통합 조직 및 핵심설계기술 확보를 기반으로 ▲소형원자로(SMR, MMR) 및 수소 생산 ▲원전해체 및 핵주기 ▲연구용원자로 및 핵연료제조시설 사업 추진에 나설 예정입니다. 또, SMR 고유 기술 확보 등 사업영역도 확대한다는 전략도 세웠습니다.

 

소형원자로 부문의 경우 캐나다 초크리버 MMR 사업을 기반으로 오는 2029년까지 캐나다, 미국, 폴란드 등지에서 MMR EPC사업에 진출할 계획입니다. 기술 고도화를 통해 출력을 기존 MMR 보다 월등히 높인 MMR++(가칭) 개발에 나서 고온을 활용한 수소 대량생산 사업에도 진출할 예정입니다.

 

원전해체 및 핵주기사업 분야에서는 올해 국내 가동원전의 사용후핵연료 임시보관을 위한 임시저장시설 설계용역에 참여를 추진하며 이를 바탕으로 해외 시장진출도 검토할 방침입니다. 경수로 사용 후 핵연료를 활용해 소듐냉각고속로(SFR) 핵연료로 재활용하는 파이로 공정 시설 및 방사성폐기물 처리시설 EPC 사업에도 참여해 준공 실적을 확보할 계획입니다. 

 

이와 함께, 원전 해체사업 참여에도 관심을 기울이고 중장기적으로 폐로를 앞두고 있는 국내 노후원전 해체사업에 적극 참여를 검토한다는 계획도 세웠습니다.  미국 컨설팅업체 베이츠화이트에 따르면, 원전 해체시장은 2050년까지 204조원 규모로 성장할 것으로 전망되는 유망 사업분야입니다.

 

연구용원자로 부문의 경우 네덜란드 오이스터 연구용원자로 수행 경험을 토대로 남아공, 방글라데시, 태국, 케냐 등 국가에서 추진 중인 연구용원자로 사업에 참여해 관련 기술 및 노하우를 확보할 예정입니다. 핵연료 제조시설 분야에서는 국내 핵연료 제조시설 설계 실적 및 노하우를 기반으로 원자력발전소 핵연료 공급을 위한 핵연료 제조시설 EPC사업 수주에 역량을 집중할 계획입니다.

 

현대엔지니어링 관계자는 "SMR 분야 기술력, 사업수행 역량서 선두주자로 자리매김함으로써 탄소중립에 기여하고 친환경 포트폴리오 강화를 통한 ESG경영 확대에도 박차를 가하게 됐다"며 "친환경 에너지 사업분야에 적극 투자와 지속 연구개발을 통해 글로벌 환경∙에너지 기업으로 거듭날 것"이라고 밝혔습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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