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SK하이닉스, 국내 일반기업 최초 4400억원 규모 사회적채권 발행 

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Wednesday, April 07, 2021, 17:04:56

사회문제 해결 위한 인프라 구축..동반성장·산업재해 예방 활동에 투자
연초 10억 달러 환경채권 발행한 데 이어 사회적채권 발행 ESG 경영 박차

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스가 4400억원 규모의 원화사채를 사회적채권(Social Bond)으로 발행한다고 7일 밝혔습니다. 국내에서 일반기업이 사회적채권을 발행하는 경우는 SK하이닉스가 처음입니다. 

 

사회적채권은 일자리 창출, 취약계층 지원, 사회 인프라 구축 등 사회문제 해결을 위한 사업에 투자할 자금을 조달할 목적으로 발행하는 ESG 채권 중 하나입니다. 그동안 국내에서 사회적채권은 공기업과 금융기업만 발행했고, 일반기업은 환경채권(Green Bond) 또는 환경채권과 사회적채권이 결합된 지속가능채권(Sustainability Bond)만 발행한 바 있습니다. 

 

SK하이닉스는 지난 1월 글로벌 메모리반도체 기업 중 최초로 10억 달러 규모의 환경채권을 발행한 데 이어 이번에 사회적채권을 발행하면서 ESG 경영에 박차를 가한다는 방침입니다. 신용평가사인 한국신용평가도 SK하이닉스의 사회적채권에 최고등급인 SB1을 부여하고 회사의 사회문제 해결을 위한 의지를 긍정적으로 평가했습니다. 

 

이번 사회적채권에는 국내 기관투자자로부터 9600억원의 주문이 몰렸습니다. 이에 회사는 2800억원 수준으로 계획했던 발행 규모를 4400억원으로 늘렸습니다. 

 

SK하이닉스는 사회적채권으로 조달한 자금을 ▲취약계층, 지역사회, 장애인 지원을 위한 ‘기초 인프라 서비스 제공’ ▲동반성장을 위한 ‘중소∙중견기업 금융 및 고용지원’ ▲산업재해 예방 시설투자 및 안전∙보건 분야 지원을 위한 ‘산업재해 예방’ 활동 등 사회 문제 해결을 위해 사용할 계획입니다.

 

양형모 SK하이닉스 재무관리담당은 “D램과 낸드플래시 사업의 균형 있는 성장을 도모하는 동시에 ESG 경영을 강화해 사회에 기여하겠다는 SK하이닉스의 파이낸셜 스토리가 투자자에게 진정성 있게 다가가 이번 사회적채권의 발행이 성공할 수 있었다”면서 “경제적 가치를 추구하면서도 사회문제를 해결할 수 있는 기존의 활동을 강화하는 것은 물론 새로운 활동 발굴에도 적극 나서겠다”고 말했습니다. 

 

현재 SK하이닉스는 사회문제 해결을 위해 취약계층 아동과 청소년, 노인, 발달장애인, 지역사회 등을 대상으로 행복 GPS, 행복나눔도시락, 실버프렌드 등의 사회공헌활동을 펼치고 있습니다. 자회사형 장애인표준사업장인 행복모아 설립과 푸르메소셜팜의 설립지원 등을 통해 장애인 고용창출과 생활안정 지원에 나서고 있습니다.

 

동반성장펀드, 청년하이파이브, 경영컨설팅 등 협력사에게 실질적으로 도움이 되는 다양한 상생 프로그램도 운영하고 있습니다. 또 재단법인 숲과나눔에 출연해 국내 안전·보건·환경 분야 전문가 양성을 지원하고 있습니다. 한편, SK하이닉스는 이번에 사회적채권 4400억원을 포함해 총 1조 1800억원의 원화사채를 발행했습니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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