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GS건설, ‘북수원자이 렉스비아’ 견본주택 19일 열어

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Friday, March 19, 2021, 11:03:14

총 2607가구 브랜드 대단지·전용 48~99㎡ 1598가구 일반분양

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣGS건설(대표 허창수, 임병용)은 경기도 수원시 장안구 정자동 530-6 일대 들어서는 북수원자이 렉스비아 견본주택을 19일 오픈하고 본격적인 분양에 들어간다고 밝혔습니다.

 

수원시 111-1구역(정자지구)을 재개발하는 북수원자이 렉스비아는 지하 2층 지상 최고 29층 21개 동 총 2607가구의 대단지 아파트입니다. 이 가운데 전용면적 48~99㎡ 1598가구가 일반분양입니다. 전용면적 별로는 ▲48㎡ 113가구 ▲59㎡ 730가구 ▲74㎡ 246가구 ▲84㎡ 435가구 ▲99㎡ 74가구 등입니다.

 

청약일정은 2021년 3월 29일 특별공급을 시작으로 3월 30일 해당지역 1순위, 3월 31일 기타지역 1순위 청약 접수를 받습니다. 당첨자 발표는 4월 7일이며, 정당계약은 4월 19일부터 30일까지 진행됩니다.

 

분양가는 고분양가 관리지역이어서 주변시세보다 저렴하게 책정됐습니다. 전용면적 85㎡ 이하는 100% 가점제, 85㎡ 초과는 50% 가점제, 50% 추첨제로 당첨자를 뽑고 분양권 전매는 소유권이전 등기 시까지 제한되며, 거주의무 기간은 없습니다.

 

북수원자이 렉스비아 인근에는 지하철 1호선 성균관대역이 있습니다. 경수대로(1번 국도), 영동고속도로(북수원 IC), 과천봉담도시고속화도로 등 광역교통망도 잘 갖춰져 있습니다. 단지 인근으로 파장초, 다솔초, 천천초, 천천중, 천천고 등 학교가 많고 수원 유명 학원가인 정자동 학원가도 근거리에 있습니다. 재래시장인 북수원시장과 홈플러스, 롯데마트 등의 대형마트가 가깝고, 화서역 인근에는 스타필드수원도 2024년 개장할 예정입니다.

 

개발 호재도 풍부합니다. 2030 수원도시기본계획에 따르면 인덕원~동탄 복선전철이 2026년 개통될 예정이며 도보권에 있는 북수원역을 이용 시 환승 등을 통해 사당역과 강남역 등 서울 도심권으로 더욱 빠르게 이동 가능합니다.

 

북수원자이 렉스비아는 전 가구 남향 위주로 배치돼 일조권과 채광이 좋습니다. 또한 GS건설이 새롭게 선보이는 커뮤니티시설인 ‘클럽 자이안’에는 피트니스센터, GX룸, 실내골프연습장 등의 시설이 들어섭니다.

 

GS건설 분양 관계자는 “수원지역에 2,000가구가 넘는 대단지 자이 아파트를 단독으로 공급하는 것은 이번이 처음”이라며 “북수원자이 렉스비아를 수원 북부 관문에 위치한 랜드마크가 될 수 있도록 평면 및 마감재뿐만 아니라 단지 내 조경, 커뮤니티시설 등을 차별화에 심혈을 기울이겠다”고 말했습니다.

 

GS건설은 견본주택 관람을 사전 예약제로 운영하며 북수원자이 렉스비아 공식홈페이지를 통해서도 평면 및 인테리어 등의 내용을 확인할 수 있습니다. 견본주택은 현장 주변인 정자동 547-30 일대에 마련됐으며 입주는 2024년 3월 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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