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국립부경대, 이차전지 NCA 양극재 성능 저하 문제 해결 기술 개발

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Monday, July 28, 2025, 12:07:16

황산이온 제거 위한 이온 교환 기술로 구조 안정성 확보
저장 용량·충방전 효율·수명 특성 획기적 개선

 

인더뉴스 제해영 기자ㅣ국립부경대학교 고민성(금속공학전공)·채수종(에너지화학소재전공) 교수 연구팀이 고에너지 밀도 이차전지의 핵심 소재인 NCA(Ni₀.₈₀Co₀.₁₅Al₀.₀₅) 양극재의 성능 저하 문제를 해결할 수 있는 기술을 개발했다고 28일 밝혔습니다.

 

연구팀은 NCA 전구체 내 음이온 불순물인 황산이온(SO₄²⁻)을 제거할 수 있는 이온 교환 기반의 개질 기술을 개발해 기존 제조법의 구조적 한계를 극복했습니다. 이 연구 결과는 재료 및 에너지 분야의 세계적 학술지인 Journal of Materials Chemistry A 2025년 13권 23호에 게재됐습니다.

 

기존 황산염 공침법으로 합성된 NCA 전구체는 층상 이중 수산화물 구조 내에 황산이온이 잔류해 후속 열처리 시 리튬과 반응, Li₂SO₄를 형성함으로써 결정성 저하 및 성능 열화를 유발해 왔습니다.

 

연구팀은 염화 이온(Cl⁻)을 활용한 이온 교환 전략을 통해 황산이온을 선택적으로 제거함으로써 전구체의 결정성을 향상시키고 부반응 가능성도 억제하는 데 성공했습니다. 해당 기술은 공정 단순성과 산업적 적용 가능성에서도 높은 평가를 받고 있습니다.

 

해당 방식으로 개질된 NCA 양극재는 196.5 mAh/g의 용량을 나타냈으며, 초기 쿨롱 효율은 91.4%로 향상됐습니다. 150회 충·방전 후 용량 유지율은 약 12%, 고속 방전 조건에서의 성능은 약 11% 향상돼 장기 수명과 출력 특성이 모두 개선됐습니다.

 

고민성 교수는 “이 기술은 특정 조성에 국한되지 않고 다양한 이차전지 양극재 시스템에 응용 가능성이 있다”며 “기존 NCA 소재의 구조적 한계를 극복함으로써 추가 개질을 통한 성능 향상도 기대된다”고 말했습니다.

 

이번 연구는 한국연구재단 중점연구소지원사업과 한국에너지기술평가원의 에너지인력양성사업의 지원을 받아 수행됐습니다.

 

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제해영 기자 tony@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

SK하이닉스, 세계 최초 ‘HBM4’ 개발 완료 및 양산 체제 구축

2025.09.12 09:19:10

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 초고성능 AI(인공지능)용 메모리 신제품인 6세대 고대역폭메모리 HBM4 개발을 성공적으로 마무리하고 양산 체제를 세계 최초로 구축했다고 12일 밝혔습니다. SK하이닉스는 “새로운 AI 시대를 견인하게 될 HBM4 개발에 성공하고 이 기술적 성과를 기반으로 세계 최초의 HBM4 양산 체제를 구축했다”며 “이를 통해 AI 메모리 기술 리더십을 글로벌 시장에서 다시 한번 입증했다”고 설명했습니다. 개발을 이끈 조주환 SK하이닉스 부사장(HBM개발 담당)은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며 "고객이 요구하는 성능, 에너지 효율, 신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장 진입을 실현할 것"이라고 말했습니다. 최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 늘어나면서 더 빠른 시스템 속도를 구현하기 위한 고대역폭 메모리 수요가 급증하고 있습니다. 여기에 막대한 전력을 소모하는 데이터센터 운영 부담까지 가중되면서 메모리의 전력 효율 확보가 고객들의 핵심 요구사항으로 부상했습니다. SK하이닉스는 향상된 대역폭과 전력 효율을 갖춘 HBM4가 이 같은 요구를 해결하는 최적의 솔루션이 될 것으로 전망하고 있습니다. 이번에 양산 체제를 갖춘 HBM4는 이전 세대보다 2배 늘어난 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 2배로 확대하고 전력 효율은 40% 이상 높였습니다. 이는 세계 최고 수준의 데이터 처리 속도와 전력 효율을 실현한 것입니다. 이 제품을 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 향상시킬 수 있어, 데이터 병목 현상을 근본적으로 해소하는 동시에 데이터센터 전력 비용도 크게 줄일 것으로 회사는 전망했습니다. SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, HBM4의 JEDEC( 국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어 넘었습니다. SK하이닉스는 장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정과 10나노급 5세대 D램 기술을 이번 제품에 적용해 양산 과정의 리스크도 최소화했습니다. 김주선 SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장(CMO)은 “이번에 세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)로 성장해 나가겠다”고 말했습니다.




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