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현대차그룹, 중국에 해외 첫 수소연료전지 생산기지 준공

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Thursday, June 01, 2023, 14:06:47

중국 광저우서 ‘HTWO 광저우’ 준공식 개최
수소연료전지시스템 연간 6500기 생산능력 갖춰
중국 내 전후방 수소 산업 협력 및 사업 확대 도모

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ현대자동차그룹이 중국 광저우에 해외 첫 수소연료전지시스템 생산기지 구축을 완료했습니다.

 

1일 현대차그룹에 따르면, 이날 중국 광둥성 광저우시 황푸구에서 'HTWO 광저우' 준공식을 개최했습니다.

 

HTWO(에이치투, Hydrogen+Humanity)는 현대차그룹이 지난 2020년에 론칭한 수소연료전지시스템 브랜드입니다. 수소와 인류를 상징하는 두 개의 H가 만나 에너지 이상의 유의미한 가치를 만든다는 의미를 담아 이름이 붙여졌습니다.

 

수소연료전지시스템은 수소연료전지 스택에 공기공급 시스템, 수소공급 시스템, 열관리 시스템을 결합해 공기 중 산소와 수소탱크에서 공급된 수소의 전기화학반응을 통해 전기를 만드는 기술입니다. 승·상용 자동차는 물론 향후 비상발전, 전기차 충전, 선박, 트램, 도심용 항공기 등 다양한 분야에 활용 가능하다는 이점이 있습니다.

 

HTWO 광저우의 경우 현대차그룹이 해외에 건설한 첫 번째 수소연료전지시스템 공장으로, 현대차그룹이 중국 수소 시장 선점과 글로벌 수소 사업 본격화 및 수소 산업 생태계를 확장하고자 건설했습니다.

 

생산기지는 20만2000㎡(약 6만1000평) 부지에 스택공장, 활성화공장, 연구동, 사무동, 혁신센터 등의 건물이 8만2000㎡(약 2만5000평) 규모로 들어섰으며, 연간 6500기의 수소연료전지시스템 생산 능력을 갖췄습니다.

 

현대차그룹은 수소연료전지시스템을 다양한 모빌리티와 산업 분야의 동력원으로 확대해 탄소중립 실현에 앞장선다는 계획입니다.

 

HTWO 광저우에서 수소연료전지시스템을 생산 및 판매하고 향후에는 중국 시장 상황과 중앙 정부 정책을 고려해 공급 물량을 순차 확대할 예정입니다. 이를 바탕으로 HTWO 광저우를 현대차그룹의 중국 내 전후방 수소 산업 협력 및 사업 확대를 위한 핵심으로 삼는다는 구상입니다.

 

장재훈 현대차[005380] 사장은 "HTWO 광저우는 현대차그룹 최초의 해외 수소연료전지 거점으로서 친환경, 스마트, 안전 최우선 공장으로 운영될 것"이라며 "현대차그룹은 중국 내 우수한 기업들과 전략적 협력관계를 강화하여 중국과 광둥성의 수소산업 고품질 발전과 탄소중립 목표를 달성하는 데 기여할 것"이라고 말했습니다.

 

리신 광둥성 정협 부주석은 "HTWO 광저우 준공을 새 출발점으로 삼아 앞으로 수소에너지 분야에서 더 넓은 협력과 발전의 여지를 갖게 될 것으로 믿는다"며 "현대차가 수소 선도기업으로서 주도적 역할을 수행하고 수소기술, 수소제품 등의 분야에서 선행 경험을 공유하며, 수소산업 생태계를 더욱 확대함으로써 광둥성 수소산업의 질 높은 발전에 함께 기여할 수 있기를 기대한다"고 밝혔습니다.

 

HTWO 광저우는 이날 준공식 행사에서 광둥성 및 광저우시와 업무협약을 맺고 오는 2024년까지 광둥성과 광저우시 산하의 국유기업에 수소전기트럭과 수소전기청소차 등 수소전기상용차 1500대를 보급하기로 했습니다.

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홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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