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‘금융사 또는 임직원’…금융위, 애매한 과태료 기준 정비

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Thursday, March 16, 2023, 16:03:27

시스템 차원 의무위반에도 개인문책 관행 개선

 

인더뉴스 문승현 기자ㅣ금융당국이 금융회사의 행정의무위반에 대해 부과하는 과태료 체계를 손질합니다.

 

법률상 의무준수주체가 금융사인 때에도 금융사가 아닌 임직원 개인에 과태료를 물리는 것은 과도한 처분이라는 지적을 받아들여 제도 정비에 나선 것입니다.


금융위원회는 16일 금융감독원과 학계·법조계 민간전문가, 금융권협회와 '금융권 과태료 제도개선 전문가 회의'를 열었다고 밝혔습니다.


이날 회의에서는 과태료 제도개선을 위한 6가지 기본방향을 정하고 앞으로 실무TF의 구체화 과정을 거쳐 올 하반기 관련법령 개정을 추진하기로 의견을 모았습니다.


먼저 과태료 부과대상자를 '의무수범자'로 일원화합니다. 현행 은행법·금융실명법 등 금융업법은 행정의무위반 과태료 부과 대상자를 '금융사 또는 임직원'으로 규정하고 있습니다.


금융사 내부관리 미흡 등 시스템적 문제로 인한 의무위반인데도 임직원 개인에 과태료가 부과될 수 있는 건 이 때문입니다. 지난해 금융사의 금융실명법 위반사례 999건 중 무려 94%에 달하는 941건은 개인에 과태료가 부과됐습니다.


과태료는 행정의무위반에 대해 행정청이 부과하는 금전적 제재로 금융분야에서 차지하는 비중이 크고, 부과금액도 상대적으로 높다보니 과태료의 적정성 등을 두고 논란이 많았던 게 사실입니다.


이에 따라 금융위는 행정의무의 실효성 확보라는 과태료의 본래 취지에 맞게 과태료 부과 대상자를 '의무수범자'로 일괄정비하기로 했습니다.


법률상 의무준수주체가 금융사라면 금융사에만 과태료가 부과되도록 개선하는 것입니다.


과태료 근거규정은 구체화됩니다. 과태료 포괄규정을 삭제하고 의무별·행위별로 과태료 근거를 마련할 계획입니다. 금융위는 이미 지난 2월 모 은행 직원들의 은행법상 보고의무 위반에 대해 과태료 근거조항이 포괄규정이라는 점을 감안해 과태료를 부과하지 않고 신분상 제재만 하는 것으로 결정한 바 있습니다.


또 의무별 경중이나 특성 등을 따져 단순·경미한 위반사항에 대해선 1차적으로 개선 기회를 부여하는 방안을 검토합니다. 단순·경미한 위반사항에 대한 면제사유가 별도로 마련돼 있지 않아 과태료 부과대상이 지나치게 많아지는 부작용을 해소하려는 조처입니다.


최근 5년 동안 과태료 부과건수는 1만2300건, 금액으로 1540억원에 이르고 있습니다.


금융위는 금융사 건전성이나 소비자보호 등 의무를 제외하고 단순의무위반사항의 기준을 명확히 할 계획입니다.


과태료와 과징금의 규율체계도 정비됩니다. 현행 금융관계법은 대부분의 의무위반사항에 대해 과태료 중심으로 제재를 하는데 경중을 고려해 과징금을 부과하는 것이 행정의무의 실효성을 높일 수도 있다는 판단입니다.


행정청이 부과하는 과태료와 과징금은 금전적 제재라는 점에서 비슷하지만 과태료는 행정실효성 확보를 위한 '질서벌' 성격이고, 과징금은 부당이득 환수를 위한 의무확보 수단의 성격을 띱니다.


금융위는 "타권역 법령과 비교검토해 의무특성에 따라 금융관계법상 과태료-과징금 간 규율체계를 정비할 것"이라며 "금융권협회를 중심으로 제도개선 필요사항을 추가 발굴해 향후 실무TF에서 논의하겠다"고 밝혔습니다.

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문승현 기자 heysunny@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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