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금융위원장 “가계부채 관리 강화 일관되게 추진하겠다”

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Monday, January 03, 2022, 10:01:55

[2022년 신년사]
고승범 금융위원장, 위기대응력 강화·금융역동성 향상 강조
실물지원 강화..200조 원 규모 정책금융 예정

 

인더뉴스 정석규 기자ㅣ “우리 경제의 가장 큰 위험 요인인 가계부채 관리 강화를 일관되게 추진하겠다.”

 

고승범 금융위원회 위원장이 3일, '2022년 신년사'를 통해 가계부채 관리 강화를 다시 한 번 강조했습니다. 

 

고 위원장은 “금융안정은 실물경제 회복흐름을 이어가고 금융발전을 이루기 위한 기반”이라며 “금융안정이 흔들린다면 경제회복·금융발전도 어려워질 수 있다”고 말했습니다.

 

고 위원장은 이를 위해 “가계 부채의 총량 관리를 바탕으로 서민·취약계층을 보호한다는 전제로 시스템 관리를 강화하면서 가계부채 증가율을 4%~5%대로 정상화하겠다”고 강조했습니다.

 

고 위원장은 “가파른 증가세를 보이는 개인사업자대출은 대출자의 경영·재무 상황을 면밀히 점검해 연착륙을 유도하겠다”고 말했습니다. 한국은행에 따르면 지난해 3분기 기준 가계대출과 판매신용을 합한 가계신용은 1845조 원 규모로 전년 동기의 1682조 원 대비 9.7% 늘었습니다.

 

코로나19 대응을 위한 시장안정 프로그램도 질서있게 정상화할 뜻을 밝혔습니다.

 

고 위원장은 “저신용 회사채 매입기구(SPV)와 채안펀드 등의 보유자산 규모를 축소시켜 나가되 시장상황이 악화되면 즉각 재가동하겠다”며 “금융규제 유연화조치도 단계적으로 정상화해 나갈 것”이라고 알렸습니다.

 

또한 “대내외 충격에 대비해 단기자금시장 안정성과 비은행권 위기대응여력 등을 점검하고 취약요인을 보완하겠다”고 덧붙였습니다.

 

고 위원장은 “금융업권별로 빛바랜 제도는 정비하겠다”며 금융역동성 향상을 언급했습니다.

 

고 위원장은 “은행·보험 등 금융회사들이 새로운 사업에 진출하고 다양한 사업모델을 영위할 수 있도록업무범위 등을 폭넓게 확대하겠다”며 “AI 활용을 위한 인프라를 구축하고 데이터 결합제도도 개선해 맞춤형 종합금융 플랫폼인 ‘마이플랫폼’ 도입을 추진하겠다”고 밝혔습니다.  

 

실물지원 강화를 통한 경제성장 견인도 주요 과제로 제시했습니다.

 

고 위원장은 “올해 200조 원 규모의 정책금융을 공급할 예정”이라며 “올해 안에 4조 원의 뉴딜펀드를 조성하고 뉴딜분야 정책금융 공급은 18조 4000억 원 이상으로 확대할 계획”이라고 설명했습니다. 

 

고 위원장은 “올 한 해 코로나19 위기에서는 차츰 벗어나겠지만 시장변동성과 불확실성이 확대될 전망이 우세하다”며 “국내외 시장동향을 주시하면서 최악의 상황에 대비하고 한은·금감원 등 유관기관과 함께

협업체계를 한층 더 공고히 하겠다”고 말했습니다.

 

아울러 “15세기 중국 명나라는 기득권에 안주하는 해금법이라는 규제 때문에 대양강국으로 발돋움할 기회를 놓쳤다”고 평가하며 “금융당국은 시장과 충분히 소통하면서 시장참가자들의 운신의 폭을 넓혀 건전한 경쟁이 이뤄지도록 필요한 사항들을 균형감 있게 파악‧조정‧대처해 나가겠다”고 강조했습니다.

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정석규 기자 itnno1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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