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[코스피 마감] 오미크론 공포 떨쳤나…외국인 ‘사자’에 사흘째 상승

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Friday, December 03, 2021, 16:12:23

0.78% 상승한 2968.33 기록
외국인, 사흘째 현선물 동시 순매수

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ코스피가 오미크론 변이 확산으로 인한 불확실성을 딛고 가파른 반등세를 이어가고 있다. 다만 반등 기조 속에서 대형주와 중소형주 간 순환매 양상이 빠르게 전개되는 모습이다.

 

3일 코스피 지수는 전 거래일보다 0.78% 올라 2968.33에 거래를 마쳤다. 장 초반 소폭 하락세로 출발했지만 이내 상승 전환한 뒤 꾸준히 오름폭을 키워나갔다. 최근 적잖은 반등폭을 보인 삼성전자와 SK하이닉스가 쉬어간 반면 중소형주 중심으로 강한 매기가 유입됐다.

 

이날 정부는 위드코로나 이후 빠르게 확산하고 있는 코로나19를 통제하기 위해 4주 동안 사적 모임을 최대 수도권 6인, 비수도권 8인으로 제한하는 방역조치 강화 내용을 발표했다. 하지만 투자 심리는 오미크론 공포에서 한층 벗어난 모양새다.

 

조 바이든 미국 대통령은 지난 2일(현지시간) 국립보건원 연설에서 “새 계획은 봉쇄 조치를 포함하지 않는다”며 “대신 백신과 추가접종 확대, 코로나 검사 확대 등을 포함한다”고 말했다.

 

이경민 대신증권 연구원은 “미국의 국경 봉쇄 가능성이 낮을 것으로 보여지면서 오미크론 공포감은 단기 정점을 지났을 수 있다”며 “외국인이 단기 낙폭이 컸던 종목들을 순매수하면서 시장이 사흘 연속 상승했다”고 설명했다. 

 

수급적으로는 외국인이 1565억 원 가량, 기관이 888억 원 가량을 순매수했다. 개인은 2708억 원 가량을 순매도하며 사흘 연속 팔자에 나섰다.

 

업종별로는 전기·전자를 제외하고 모두 상승 마감했다. 특히, 섬유·의복이 5% 이상 대폭 상승했다. 은행 업종은 3% 이상, 통신업은 2% 이상 오르며 강세를 보였고 서비스업, 운수창고, 증권 등이 1% 이상 상승했다.

 

시가총액 상위 10개사는 혼조세였다. 삼성전자는 약보합, SK하이닉스는 1%대 하락을 보이며 어제 강세를 보인 반도체주가 주춤했다. 삼성전자우, LG화학도 하락세를 보였지만 삼성SDI, 기아가 1% 이상 올랐고 NAVER, 삼성바이오로직스 등이 상승 마감했다.

 

이날 거래량은 4억 7830만 주, 거래 대금은 10조 885억 원 가량을 기록했다. 상한가 3개를 포함해 804 종목이 상승했고 하한가 없이 95 종목이 하락했다. 보합에 머무른 종목은 33개다.

 

한편, 코스닥은 2.15% 오른 998.47을 기록했다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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