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26일 타계, 노태우 전 대통령 주요 약력

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Tuesday, October 26, 2021, 15:10:49

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ 26일 향년 89세의 나이로 별세한 노태우 전 대통령의 주요 약력입니다.

 

1932년 12월 4일 대구 출생. 본관 교하

1951년 경북고등학교 졸업

1955년 육군사관학교 11기 임관

1959년 미국 특수전학교 심리전과정 수료

1960년 군사정보대 영어번역 장교

1966년 방첩부 방첩과장

1968년 수도사단 대대장

1974년 공수특전 여단장

1979년 제9사단장

1981년 국군 보안사령관

1981년 육군대장 예편

1982년 정무제2장관 및 남북한고위회담 수석대표

1982년 제1대 체육부 장관

1983년 제41대 내무부 장관

1983년 서울올림픽조직위원장

1984년 KOC위원장

1985년 재5대 민주정의당 대표위원

1985년 제12대 국회의원(민정당, 전국구)

1987년 민정당 총재 및 민정당 대통령후보

1988년 제13대 대통령 취임

1989년 미국조지워싱턴대학교 명예법학박사

1991년 러시아모스크바대학교 명예정치학박사

1992년 초대 민자당 총재

1993년 대한민국 헌정회 원로자문회의 위원

1995년 특정범죄 가중처벌법상 뇌물수수혐의로 무기징역 선고

1997년 사면 및 복권

 

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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