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현대중공업그룹, ‘가스텍’서 차세대 그린십 선보인다

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Wednesday, September 15, 2021, 16:09:51

21일~23일, UAE 두바이서 개최되는 ‘가스텍 2021’ 참가
“해상 모빌리티 분야 친환경 기술 패러다임 이끌어 나갈 것”

 

인더뉴스 문정태 기자ㅣ현대중공업그룹이 세계적 가스행사인 가스텍에서 이산화탄소(CO2), 수소, 암모니아 등 차세대 그린십(Green Ship) 기술력을 대거 선보입니다.

 

현대중공업그룹은 오는 21일부터 23일까지 아랍에미리트(UAE) 두바이에서 개최되는 ‘가스텍(Gastech) 2021’에 참가한다고 15일 밝혔습니다.

 

현대중공업그룹은 이번 전시회에서 LNG선, LPG선 등 가스선의 축소모델을 전시하고 자체 개발한 차세대 선박 기술을 소개합니다.

 

특히, 한국조선해양·현대중공업·현대미포조선 등 현대중공업그룹 조선3사는 이번 행사에서 ▲대형 액화이산화탄소운반선 ▲액화수소 화물운영시스템 ▲대형 암모니아추진·운반선 ▲중소형 LNG FSRU(부유식 가스 저장·재기화 설비) 등에 대한 선급과 기국의 기본인증을 획득할 예정입니다.

 

현대중공업그룹이 이번에 개발한 4만 입방미터급(㎥) 액화이산화탄소운반선은 세계 최대 크기인데요. 운항 중 탱크의 압력을 유지해 화물을 안정적으로 보존할 수 있는 화물저장시스템과 화물운영시스템을 적용했습니다.

 

또한 바이로브 방식(둥근 탱크 2개가 맞물린 형태)의 탱크 7개를 이용해 화물 적재량을 극대화했으며, LNG추진엔진을 탑재해 환경 규제에 대응할 수 있습니다.

 

현대중공업그룹은 탄소중립 실현을 위한 이산화탄소의 포집과 활용, 저장(CCUS) 관련 기술 수요가 증가하며 성장이 예상되는 액화이산화탄소운반선 시장을 선점하겠다는 계획입니다.

 

글로벌 시장조사기관 인더스트리아크는 CCUS 시장 규모가 올해부터 연평균 29.2% 성장해 2026년 253억 달러에 이를 것으로 전망하고 있습니다.

 

또한 현대중공업그룹이 개발한 수소운반선의 핵심기술인 액화수소 화물운영시스템은 안정적인 가압탱크를 적용, 운항 중 발생하는 수소 증발가스를 발전용 연료로 재사용이 가능합니다. 재기화시스템을 탑재해 수입터미널이 없는 경우에도 소비처로 수소 공급을 할 수 있습니다.

 

암모니아추진‧운반선은 가스선 시장 요구를 반영해 9만1000 입방미터(㎥)급 대형 크기로 개발했으며, LNG FSRU는 소규모 LNG 프로젝트에 적합하도록 4만 입방미터(㎥)급으로 설계된 것이 특징입니다.

 

이와 함께 현대중공업그룹은 이번 행사에서 영국 로이드선급과 업무협약(MOU)를 맺고 사이버 공간에서 선박을 구현하는 디지털트윈 선박 솔루션(HiDTS)을 설계·시운전·운항 단계까지 상용화할 수 있도록 협력을 강화할 계획입니다.

 

현대중공업그룹 관계자는 “해상 환경규제가 강화되며 선박 분야 기술 트렌드도 급변하고 있다”며 “CO2‧암모니아‧수소 등 해상 모빌리티 분야 친환경 기술 패러다임을 이끌어 나갈 것”이라고 말했습니다.

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문정태 기자 hopem1@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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