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조용병 신한금융 회장, 英 기후행동 챔피언 나이젤 토핑과 탄소중립 논의

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Wednesday, September 15, 2021, 10:09:17

나이젤 토핑, COP26에서 국내 민간 금융의 역할 및 책임 강조

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ신한금융그룹(회장 조용병)은 14일 오후 서울 중구에 위치한 신한금융 본사에서 영국 고위급 기후행동 챔피언(UK’s High-Level Climate Action Champion) 나이젤 토핑(Nigel Topping)과 만나 아시아지역 탄소중립(Net-Zero) 달성을 위한 국내 민간 금융회사의 역할에 대해 논의했습니다.

 

유엔기후변화협약(United Nations Framework Convention on Climate Change, 이하 UNFCCC)은 정부와 지방자치단체, 기업, 투자자 등 다양한 분야의 이해관계자들과 협업하기 위해 고위급 기후행동 챔피언 2명을 임명하고 있습니다.

 

고위급 기후행동 챔피언은 기업과 투자자, 도시와 지역의 협력을 강화하고 행동을 유도하며, 정부와 UNFCCC 당사자들간의 탄소중립 목표를 달성하기 위한 연대를 이끌어내고 있습니다.

 

나이젤 토핑은 유엔기후변화협약(UNFCCC)이 선정한 챔피언 2명 중 1명으로 오는 11월 영국 글래스고에서 개최되는 제26차 유엔 기후변화협약 당사국 총회(2021 United Nations Climate Change Conference, 이하 COP26)에서 비정부 기관을 대표하는 최고위급 인물입니다.

 

이날 회의는 신한금융그룹의 탄소 중립 전략인 ‘Zero Carbon Drive’ 에 대한 논의를 시작으로 글래스고 탄소중립 금융기관연합(Glasgow Financial Alliance for Net Zero, 이하 GFANZ)의 탄소중립 은행 연합(Net-Zero Banking Alliance, 이하 NZBA) 창립 서명 기관(Founding Signatory)으로 참여한 신한금융의 역할, COP26 관련 국내 금융기관의 협력 방안 등 다양한 주제의 이야기가 이어졌습니다.

 

이날 회의에서 나이젤 토핑은 “COP26은 세계 기후 회복을 위한 핵심적인 논의의 장이 될 것”이라며 “탄소중립은 각국 정부뿐 아니라 민간의 협력 없이는 달성하기 어렵고 특히 아시아 지역국가들의 협력이 핵심이다”고 말했습니다.

 

또한 “신한과 같은 많은 금융사들이 2050년까지 Net-Zero를 선언하고 구체적인 계획을 수립해야 할 것”이라며 “GFANZ에서도 모범적인 역할을 수행하고 있는 신한이 한국을 넘어 아시아-태평양 금융에 대해 리더십을 발휘해주길 바란다”고 당부했습니다.

 

조용병 신한금융그룹 회장은 “기후변화 대응은 2017년 그룹 회장 부임 이후 지속적으로 관심을 갖고 직접 챙겨 온 이슈”라며, “앞으로도 기후금융 선진 그룹과 아시아-태평양 지역의 연결고리 역할을 적극적으로 수행할 수 있도록 노력하겠다”고 말했습니다.

 

한편, 신한금융은 지난해 12월 2050년까지 자산 포트폴리오 탄소 배출량을 Net Zero로 만들겠다는 진일보한 탄소중립 전략인 ‘Zero Carbon Drive’ 발표했습니다. 또한 국내외 금융사들의 탄소중립 선언 관련 벤치마크가 되고 있으며, 특히 올해 ESG 보고서를 통해 탄소 배출량 측정부터 감축 목표 설정, 관리 방안 등을 담은 TCFD(기후변화 관련 재무정보 공개 협의체) 보고를 실시하기도 했습니다.

 

또한 지난 9월 2일에는 그룹 창립 20주년 기념 국제컨퍼런스를 개최하고 현 UN 기후변화 특사이자, 전 영란은행(BOE) 총재인 마크 커니(Mark Carney) 등 국내외 기관·기업·학계 리더들을 초청해 ESG에 대한 다양한 이슈를 논의하는 자리를 마련했습니다.

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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