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포스코건설, 충남 천안서 ‘더샵 천안레이크마크’ 내달 분양

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Monday, July 26, 2021, 12:07:03

지상 최고 28층 4개동‥전용 65㎡·75㎡ 총 411세대 규모

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ포스코건설(대표 한성희)이 충남 천안시 직산읍에 조성하는 ‘더샵 천안레이크마크’를 오는 8월 분양한다고 26일 밝혔습니다.

 

충남 천안시 직산읍 삼은리 64-17번지 일대에 들어서는 더샵 천안레이크마크는 지하 2층 지상 최고 28층 4개동 전용면적 65㎡, 75㎡ 총 411세대 규모로 조성됩니다. 전용면적별로는 ▲65㎡ 294세대 ▲75㎡ 117세대 등입니다.

 

더샵 천안레이크마크는 호수공원인 직산삼은공원이 바로 앞에 위치해 있습니다. 직산삼은공원에 마련된 1.2km 길이의 수변산책로는 물론 인근 성거산, 위례산, 태조산 등 산도 많습니다.

 

아울러 봉주로, 직산로 등을 이용한 단지 진·출입이 쉽고 천안대로와 서울까지 연결되는 1번 국도 등도 근거리에 위치해 있습니다. 북천안IC와 천안IC도 진입이 편리해 경부고속도로를 통해 전국 각지로 이동이 편리합니다. 인접한 수도권 광역전철 1호선 직산역을 통해 경부선 천안역, KTX 천안아산역 등의 이용도 편리합니다. 직산~부성간 1번국도 확장이 예정돼 있고 단지 주변으로 도시계획도로도 개설될 계획입니다.

 

또한 인근 어린이집은 물론 소망초, 삼은초, 부성중, 업성고 등 다수의 학교가 있습니다. 단지 주변으로 서북구청, 직산읍주민센터 등 행정시설과 하나로마트, 직산 패션아울렛, 메가마트, 천안농수산물시장, JS메디칼의원 등 생활편의시설이 풍부합니다.

 

산업단지가 가까워서 직주근접이 가능합니다. 도보 거리에 충남테크노파크가 위치하고 삼성SDI천안사업장, 천안제2,4일반산업단지 등 다수의 산업단지가 인접해 있습니다. 북부BIT 산업단지(2024년 예정), 천안테크노파크 산업단지(2023년 예정), 천안직산 도시첨단산업단지(2023년 예정) 등도 조성될 계획입니다.

 

더샵 천안레이크마크는 남향 위주의 동 배치로 채광과 통풍이 우수하고 4베이 위주의 설계를 적용했습니다. 주차장은 모두 지하로 배치하고, 지상에는 조경시설, 공원과 주민공동시설인 경로당, 어린이집, 어린이놀이터, 피트니스센터, 북카페, 독서실, 멀티룸 등을 마련할 예정입니다.

 

단지가 들어서는 충청남도 천안시 직산읍은 비규제지역으로 만 19세 이상의 천안시 거주자는 물론 충청남도, 세종시, 대전광역시 거주자로 청약통장 가입 후 6개월 이상이고 지역·면적별 예치금만 충족되면 세대주 및 주택 수와 관계없이 1순위로 청약할 수 있습니다. 재당첨 제한이 없으며 무제한 전매가 가능합니다.

 

분양 관계자는 “호수공원에서 가장 근거리에 위치해 있는 더샵 천안레이크마크는 풍부한 자연환경을 누릴 수 있는 데다 우수한 정주 여건과 더불어 개발호재가 많아서 미래가 더 기대되는 아파트로 평가받고 있다”며 “국내를 대표하는 아파트 브랜드 ‘더샵’의 우수한 상품성과 미래가치를 품은 아파트로 기대가 높은 만큼 천안을 대표하는 ‘랜드마크’로 선보이겠다”고 말했습니다.

 

견본주택은 충남 천안시 서북구 두정동 1279번지에 들어설 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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