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한화건설, ‘한화 포레나 서충주’ 사이버 견본주택 열고 분양 나선다

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Monday, June 21, 2021, 13:06:42

충주시 첫 ‘포레나’ 브랜드‥내달 2일부터 청약 접수 시작

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ한화건설(대표 최광호)은 충주기업도시(공동4-1블록)에 위치한 ‘한화 포레나 서충주’의 사이버 견본주택을 오픈하고 분양에 나선다고 21일 밝혔습니다.

 

한화 포레나 서충주는 충주시 첫 번째 ‘포레나’ 브랜드 아파트로 충청북도 충주시 중앙탑면 용전리 654번지에 위치하고 있으며 지하 1층~지상 최고 20층, 6개동, 총 478세대 규모로 조성됩니다. 타입별로 ▲77㎡ 153세대 ▲84㎡A 229세대 ▲84㎡B 36세대 ▲84㎡C 60세대로 구성돼 있습니다.

 

충주기업도시에는 포스코ICT, 롯데칠성, 현대모비스, 코오롱생명과학 등이 입주·계획돼 있고 약 3만명이 근무 중입니다. 인근 충주첨단산업단지, 메가폴리스, 바이오헬스국가산업단지(계획), 비즈코어산업단지(계획), 드림파크산업단지(계획), 법현산업단지(계획) 등 총 7개의 산단이 갖춰지면 서충주에만 약 5만명의 직간접 고용효과가 예상됩니다. 현재 충주첨단산업단지에는 유한킴벌리, 오성엘에스티가, 메가폴리스에는 롯데칠성, 기아모터스 등이 입주한 상태입니다.

 

한화 포레나 서충주는 도보거리에 서충주어린이집, 중앙탑초·중교, 중앙탑 학원가가 위치해 있으며 단지 옆에 용전고등학교(가칭)가 2023년 개교를 앞두고 있습니다. 단지 앞 도보거리에 중심상업지구가, 단지 뒤로 중앙공원과 근린공원이 위치하고 있습니다. 인근 수영장, 다목적체육관, 문화센터가 들어서는 서충주국민체육센터도 건립될 예정입니다.

 

또한 단지 외부에서 내부로 이어지는 공기청정 특화시스템인 ‘포레나 블루에어 시스템’이 적용되며 주차위치 확인 및 알람 시스템과 고화질 CCTV, 공동현관 무인경비 시스템, 주차장 비상벨 등 다양한 보안·방범시스템이 적용됩니다. 또한 지하주차장과 별개로 지상 주차장에는 보행자 안전성을 고려한 보차 동선 분리가 적용됐습니다.

 

세대 내부는 방 3개와 거실을 앞면에 배치한 4베이와 판상형 위주(84C 제외)로 설계해 맞통풍과 채광이 좋습니다. 기본 공간활용이 가능한 알파룸이 제공(84C 제외)되며 84C타입은 안방발코니 확장(선택)에 따른 드레스룸 수납공간을 특화 적용합니다. 전 타입에 자동 3중 중문(유상)과 주방 동선을 극대화한 ‘ㄷ’자형 주방설계가 적용될 예정입니다.

 

한화 포레나 서충주의 분양일정은 다음달 2일 특별공급을 시작으로 5일 1순위와 6일 2순위 청약, 12일 당첨자 발표, 26일부터 28일까지 3일간 정당계약 순으로 진행됩니다. 계약금 1000만원 정액제에 중도금 60% 무이자 혜택이 적용됩니다. 특히 충주기업도시는 전국구 청약지역으로 어느 지역에서나 청약 접수가 가능합니다.

 

송희용 한화건설 분양소장은 “한화 포레나 서충주는 충주기업도시를 대표하는 미래가치·교통·환경 3박자를 갖춘 고품격 주거 단지”라며 “비규제 지역의 혜택과 기업도시 특별법으로 인해 전국에서 청약이 가능한 지역으로 많은 수요자들의 관심이 기대된다”고 말했습니다.

 

한화 포레나 서충주 홍보관은 충북 충주시 연수동 82-14번지(금곡사거리 인근)에 위치하고 있으며 홈페이지를 통해 사전 방문 신청을 한 고객에 한해 입장이 가능합니다. 입주는 2023년 하반기 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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