검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Estate 건설/부동산

GS건설, ‘오포자이 디 오브’ 21일 사이버 견본주택 열고 분양 나선다

URL복사

Friday, May 21, 2021, 15:05:13

경기 광주 오포읍 고산2지구 C-3‧C-4블록, 전용면적 62~104㎡ 총 895가구 분양

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣGS건설(대표 허창수·임병용)은 경기도 광주시 오포읍 고산2지구 C-3‧C-4블록에 들어서는 ‘오포자이 디 오브’의 사이버 견본주택을 21일 열고 분양에 나선다고 밝혔습니다.

 

오포자이 디 오브는 지하 2층~지상 23층 13개 동 전용면적 62~104㎡ 총 895가구입니다. 블록 별로는 C-3블록 6개 동 447가구 ▲62㎡ 32가구 ▲69㎡ 9가구 ▲74㎡ 152가구 ▲82㎡ 9가구 ▲84㎡ 227가구 ▲92㎡ 13가구 ▲104㎡ 5가구, C-4블록 7개 동 448가구 ▲62㎡ 42가구 ▲69㎡ 9가구 ▲74㎡ 117가구 ▲82㎡ 12가구 ▲84㎡ 242가구 ▲92㎡ 20가구 ▲104㎡ 6가구 등으로 구성됩니다.

 

청약일정은 오는 31일 특별공급을 시작으로 6월 1일 당해지역 1순위, 6월 2일 기타지역 1순위 청약 접수를 받습니다. C-3‧C-4블록 당첨자 발표일이 달라 동시 청약이 가능합니다. 당첨자 발표는 6월 9일(C-4블록), 6월 10일(C-3블록)이며 정당계약은 6월 28일부터 7월 6일까지 9일간 진행됩니다.

 

오포자이 디 오브 견본주택은 신종코로나바이러스감염증(코로나19) 방역 지침을 준수하기 위해 사이버로만 운영됩니다. 사이버 견본주택은 오포자이 디 오브 홈페이지를 통해 운영 중이며 사이버 견본주택을 통해 평면 및 인테리어 등 다양한 분양 정보를 확인할 수 있습니다.

 

오포자이 디 오브는 2022년 개통 예정인 세종~포천 고속도로 오포IC가 인접해 서울 및 광역 도시 이동이 편리해질 전망입니다. 또한 태재로 및 성남이천로(3번국도) 등을 통한 판교·분당 신도시로의 접근이 용이합니다.

 

오포자이 디 오브는 판교와 분당 생활권은 물론 인접한 태전지구 등 경기 광주 중심 생활권을 누릴 수 있는 멀티 생활권을 갖췄습니다. 또한 단지 인근 초등학교(계획)가 예정돼 있고 단지 인근에 위치한 문형산의 쾌적한 녹지 환경을 비롯해 고산천 등 자연 하천이 있어 숲세권 에코라이프를 즐길 수 있습니다.

 

오포자이 디 오브는 다양한 특화 설계도 적용될 예정입니다. 전 세대 남향 위주 설계로 채광과 통풍을 극대화함은 물론 각 타입별로 다양한 특화 설계가 적용됩니다. 각 타입별로 선호도 높은 4Bay 설계는 물론 3면 발코니 설계가 적용됩니다. 또한 1~5층 일부 세대에는 오픈발코니, 포켓테라스 등의 특화 설계로 주변 자연경관을 느낄 수 있는 것이 장점입니다.

 

아울러 수요자들의 선택권을 높인 다양한 설계도 특징입니다. 타입에 따라 대형 드레스룸, 베타룸이 적용되며 주방 스타일업 설계를 통해 넓은 주방 사용이나 알파룸 등을 선택할 수 있습니다.

 

GS건설 분양 관계자는 “오포자이 디 오브는 광주 내에서도 편리한 서울, 판교, 분당 접근성을 갖춘 입지적 장점과 쾌적한 숲세권 환경 및 다양한 특화 설계 적용으로 입주민들의 만족도가 높을 것으로 예상한다”며 “수요자들의 많은 관심이 예상되는 만큼 우수한 상품을 선보이도록 준비했다”라고 말했습니다.

 

오포자이 디 오브 견본주택은 경기도 광주시 역동 213-3번지에 위치해 있으며 입주는 2024년 2월 예정입니다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너