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SK하이닉스, 업계 최고 성능 기업용 SSD 신제품 양산

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Thursday, April 15, 2021, 09:04:40

고성능·저전력 경쟁력 확보한 PE8110 E1.S 양산 시작
5월 중 주요 고객 데이터센터에 제공 예정..ESG 경영에도 박차

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스는 데이터센터에 사용되는 기업용 SSD 제품인 ‘PE8110 E1.S’의 양산을 시작했다고 15일 발표했습니다. 회사는 지난 3월 말 제품에 대한 내부 인증을 완료했고 5월 중 주요 고객에 제공할 예정입니다. 

 

앞서 SK하이닉스는 2019년 6월 세계 최초로 128단 4D 낸드 개발을 성공한 바 있습니다. 이후 회사는 128단 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 세 가지(SATA SE5110, PCIe Gen3 PE8111 E1.L, PE8110 M.2)를 개발해 양산해 왔습니다. 

 

이어 “이번 PE8110 E1.S의 양산을 통해 회사는 이 분야 제품군의 ‘완전한 라인업’을 구축하게 됐다”고 설명했습니다. 완전한 라인업이란 128단 4D 낸드 기반의 기업용 SSD 제품 중 SATA 및 PCIe(E1.L, M.2, E1.S)의 폼팩터(Form Factor, 제품의 외형이나 크기, 물리적 배열)를 모두 갖춘 것을 의미합니다. 

 

PE8110 E1.S는 이전 세대 96단 낸드 기반 제품인 PE6110 대비 읽기 속도는 최대 88%, 쓰기 속도는 최대 83% 향상된 제품입니다. 이는 4GB(기가바이트) 용량의 풀 HD급 영화 한 편을 1초 만에 저장하는 수준입니다. 또, 최대 용량 제품인 PE8110 8TB(테라바이트)의 경우 2000편의 영화를 하나의 SSD에 담을 수 있습니다. 

 

SK하이닉스는 이처럼 제품의 성능을 대폭 개선하면서도 전력 사용량은 이전 세대와 동일한 수준으로 맞춰 에너지 효율성을 높였습니다. 업계 최고 수준의 성능과 용량, 그리고 저전력 경쟁력을 모두 갖추게 된 것입니다. 

 

특히 이 제품은 ▲시스템을 그대로 두고 교체해도 서버가 즉시 인식할 수 있고 ▲디자인을 개선해 발열을 줄일 수 있는 구조이며 ▲A/S 보장기간이 3년에서 5년으로 늘어나 고객사의 데이터센터 운영 비용이 절감될 수 있다고 SK하이닉스는 강조했습니다.

 

또한 이 제품은 OCP(Open Compute Project) 규격을 만족시킨 것으로 인정받았습니다. OCP는 전세계 데이터센터 관련 주요 기업들이 참여해 초고효율 데이터센터 구축을 위한 하드웨어, 소프트웨어 및 기업용 SSD의 표준을 논의하는 국제 협의체입니다.

 

한편, 시장조사기관 IDC(International Data Corporation)에 따르면, 기업용 SSD 시장은 지난해부터 연평균 21.5% 성장해 2024년에는 28조 원 규모로 커질 것으로 예상됩니다. 

 

이재성 SK하이닉스 부사장(Solution제품개발담당)은 “당사는 이번 양산을 통해 완전한 제품 라인업을 갖춰 고객들이 HDD(하드디스크 드라이브)를 SSD로 대체할 수 있는 선택의 폭을 넓혔다”고 말했습니다. 

 

이어 이 부사장은 ”저전력이 강점인 SSD는 HDD 대비 94% 이상 이산화탄소를 줄일 수 있어 환경 문제 해결에 기여하고, 회사의 ESG 경영을 강화하는 데도 일조할 것”이라고 덧붙였습니다. 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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