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"K팹리스 만들자"...정부, 시스템반도체 R&D에 2400억 투자

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Monday, February 01, 2021, 15:02:07

전력 반도체·차세대 센서 R&D 집중 지원
“향후 10년간 2조 5000억원 투입 예정”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ정부가 시스템반도체 분야를 집중 육성하기 위해 올해 2400억원 규모의 연구개발(R&D)을 지원합니다. 전력 반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등에 자금을 대거 투입해 미래 시스템반도체 산업을 적극적으로 육성하겠다는 겁니다.

 

정부는 1일 서울청사에서 ‘제3차 혁신성장 빅3 추진 회의’를 열고 이런 내용을 담은 ‘시스템반도체 기술혁신 지원방안’을 발표했습니다. 발표안에 따르면 과학기술정보통신부(1150억원), 산업통상자원부(1100억원), 중소벤처기업부(150억원)의 예산을 연구개발에 투자합니다.

 

투자 주요 방향은 팹리스(반도체 설계회사) 성장 지원, 유망시장 선점, 신시장 도전입니다. 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 추진하며 글로벌 K팹리스 육성을 위해 전력반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등 시스템 반도체의 유망 분야를 집중 지원합니다.

 

우선 글로벌 팹리스 육성을 위해 1000억원 이상의 ‘챌린지형 R&D’를 신설합니다. 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유 공모를 통해 경쟁력 있는 전략제품 개발을 지원하며, 올해는 4개 기업을 선정할 방침입니다.

 

중소 팹리스 육성을 위해선 창업기업 지원, 혁신기술 개발, 상용화 기술개발, 투자형 기술개발 등 다양한 R&D 지원을 할 계획입니다.

 

각종 전기차·수소차와 전자기기 등 미래차의 핵심 부품인 차세대 전력 반도체를 담당하는 R&D 역시 강화됩니다. 데이터 수집을 담당하는 차세대 센서 R&D도 지원합니다.

 

차세대 전력 반도체인 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 반도체는 기존 실리콘(Si)보다 높은 내구성과 전력 효율을 지녀 성장 가능성이 높은 분야로 꼽힙니다. 정부는 이런 신소재 기반 전력 반도체 상용화를 위해 R&D 신설을 검토 중입니다.

 

또 주력산업의 데이터 수요 증가에 대응하기 위해 차세대 센서 R&D 지원과 센서 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등 모두 5000억원 규모의 예비타당성 사업이 추진됩니다.

 

신시장을 지원하기 위한 예산도 400억원 가까이 늘어납니다. 인공지능 반도체 R&D 핵심사업인 차세대 지능형 반도체 기술 개발 사업이 성과를 낼 수 있도록 지원 규모를 작년 831억원에서 올해 1223억원으로 확대할 예정입니다.

 

성윤모 산업통상자원부 장관은 “올해 차세대 센서, 신개념 인공지능 반도체(PIM) 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련할 계획”이라며 “향후 10년간 2조 5000억원이 투입되는 이 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것"이라고 말했습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

SK하이닉스, 업계 최초 ‘고방열 모바일 D램’ 공급…“스마트폰 발열 잡는다”

2025.08.28 09:13:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]는 업계 최초로 반도체 후공정 필수 재료인 ‘High-K EMC’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 제품을 개발, 고객사들에 공급을 개시했다고 28일 밝혔습니다. EMC(Epoxy Molding Compound)는 수분·열·충격·전하 등 다양한 외부 환경으로부터 반도체를 밀봉해 보호하고 열을 방출하는 통로 역할을 합니다. High-K EMC는 열전도 계수(K)가 높은 물질을 EMC에 사용해 열전도율을 높입니다. SK하이닉스는 “온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다”며 “이번 제품으로 고사양 플래그십 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다”고 설명했습니다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(응용 프로세서) 위에 D램을 쌓아 올리는 PoP(Package on Package:적층 패키지) 방식을 적용하고 있습니다. 이 구조는 한정된 공간을 효율적으로 활용하고 데이터 처리 속도를 높이는 장점이 있지만, 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 불러옵니다. SK하이닉스는 이 문제를 해결하기 위해 D램 패키지를 감싸는 핵심 소재인 EMC의 열전도 성능 향상에 주력, 기존에 EMC의 소재로 사용하던 실리카에 알루미나를 혼합 적용한 신소재인 High-K EMC를 개발했습니다. 이를 통해 열전도율을 기존 대비 3.5배 수준으로 대폭 향상시켰고, 그 결과 열이 수직으로 이동하는 경로의 열 저항을 47% 개선하는 성과를 거뒀다고 회사 측은 설명했습니다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여해 모바일 업계의 관심과 수요가 높을 것으로 전망됩니다. 이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 불편 해소에 기여한다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 구축하겠다”고 말했습니다.




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