인더뉴스 이진솔 기자ㅣSK하이닉스가 용량은 높이고 생산성과 원가 경쟁력을 갖춘 D램 신제품을 개발해 연내 양상 준비를 마치고 내년부터 본격 공급한다.
SK하이닉스는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) D램을 개발했다고 21일 밝혔다.
용량은 단일 칩 기준 업계 최대 수준인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품보다 생산성이 약 27% 향상됐다. 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 있다.
데이터 전송 속도는 DDR4 규격 최고 속도인 3200Mbps까지 지원한다. 전력 효율 측면에서는 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작에 있어 핵심요소인 정전용량(Capacitance)을 높였다. 정전용량은 전하를 저장할 수 있는 능력으로 높아질수록 데이터 유지시간과 정합도가 상승한다. 또한 새로운 설계 기술로 동작 안정성도 강화했다.
이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장 담당은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준 용량과 속도에 전력 효율을 갖춰 고성능·고용량 D램을 찾는 고객 수요 변화에 가장 적합하다”며 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 공급에 나서 시장 수요에 대응하겠다”고 말했다.
한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.
