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[2022 주총] SK하이닉스 박정호 부회장이 꺼낸 ‘RE100’ 로드맵은?

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Wednesday, March 30, 2022, 16:03:53

30일 SK하이닉스 제74기 정기 주주총회 개최
박 부회장, 낸드 사업 성장 및 D램 수익성 강조
30년까지 재생에너지 33% 조달. 2050년 RE100 달성

 

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ박정호 SK하이닉스 부회장이 지난해 3월 대표 취임 후 처음으로 정기 주주총회를 주재하면서 낸드 사업 성장과 D램 수익성 1위를 공언했습니다. 또한 기업의 사용전력을 재생에너지로만 사용하 RE100 달성을 위한 중간 목표 설정도 밝혔습니다. 

 

박 부회장은 30일 경기 이천 본사에서 열린 SK하이닉스의 제74기 정기 주주총회에 참석해 주총을 진행했습니다.

 

박 부회장은 "출범 10주년을 맞이한 SK하이닉스는 그 누구도 상상하지 못했던 모습으로 성장했고 이런 변화와 성취는 모든 구성원들의 노력과 주주들의 성원과 지지 덕분이다"며 "전 세계 반도체 시장을 선도하는 글로벌 일류 기술 기업으로 도약하겠다”고 강조했습니다.

 

박 부회장은 “솔리다임과 SK하이닉스의 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 사업을 점진적으로 통합해 시너지를 극대화하겠다"며 "이를 통해 글로벌 운영 체계를 강화하고 낸드 사업을 더욱 성장시키겠다"고 밝혔습니다.

 

SK하이닉스는 지난해 12월 낸드 사업 성장을 위해 인텔의 낸드 사업 부문 1단계 인수 절차를 완료하고 자회사 '솔리다임(Solidigm)'을 출범시켰습니다.

 

D램 사업과 관련, 박 부회장은 "10나노미터 기술로의 전환을 가속화하고 오퍼레이션 효율 제고를 최우선 과제로 삼아 수익성 1위의 기반을 구축하겠다"며 "극자외선 운영의 최적화를 통해 차세대 기술에서 리더십을 이어가겠다”고 말했다.

 

SK그룹 차원에서 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 대해서는 "장기 수요에 대응하는 동시에 소재·부품·장비 협력사들과 상생하는 반도체 생태계의 핵심 기지로 자리매김할 것"이라며 "미국 실리콘밸리에 연구개발(R&D)센터를 구축하고, 빅테크 기업과의 협업을 도모하는 핵심 거점으로 삼아 기술경쟁력을 강화해 나가겠다"고 말했습니다.

 

최근 재계의 화두인 ESG 경영에 대한 목표도 밝혔습니다. 박 부회장은 "장기적인 관점에서 전사적인 노력이 이뤄져야 하는 만큼 전담 조직과 ESG 경영위원회를 신설했다"라며 "2050년 RE100 달성을 위해 2030년까지 소비 전력의 33%를 재생에너지로 조달한다는 중간 목표를 설정했다"고 말했습니다.

 

주주배당에 대해서 박 부회장은 "연간 고정 배당금을 20% 상향하고 올해부터 분기배당을 실시한다"며 "올해부터 3년간 창출되는 누적 잉여현금흐름의 50%를 추가 재원으로 활용하겠다"고 말했습니다.

 

주총 안건은 원안대로 의결됐습니다. 이에 따라 곽노정 안전개발제조총괄 사장, 노종원 사업총괄 사장이 사내이사로 신규 선임됐습니다. 중대재해기업처벌법 등 안전 관련 규제 강화에 대응하겠다는 의지를 나타냈다는 평입니다. 하영구 전 은행연합회 회장의 사외이사·감사위원 선임 및 재선임 안건도 통과됐습니다.

 

한편 이날 공정거래위원회는 SK하이닉스의 국내 파운드리 업체 키파운드리 인수 건을 승인했습니다. 공정위는 심사결과 SK하이닉스가 키파운드리를 인수하더라도 반도체 성숙제품 파운드리시장에서 경쟁제한 우려가 없다고 판단했습니다.

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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