검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Estate 건설/부동산

남양주 왕숙 등 10곳서 4차 사전청약 ‘일반공급·신희타’ 접수

URL복사

Tuesday, January 18, 2022, 10:01:43

공공분양 일반공급 24일·신혼희망타운 21일까지 사전청약
특별공급 ‘성남금토·서울대방’은 이번 물량서 제외

 

인더뉴스 홍승표 기자ㅣ남양주 왕숙, 고양 창릉 등 3기 신도시를 비롯한 10개 지구에서 4차 사전청약 공공분양 일반공급 및 신혼희망타운 접수가 진행됩니다.

 

18일 한국토지주택공사(이하 LH)에 따르면, 4차 사전청약 공공분양 일반공급 접수는 오는 24일까지, 수도권 거주자를 대상으로 한 신혼희망타운 청약접수는 21일까지 실시됩니다.

 

이번 사전청약 물량은 신혼희망타운 특별공급으로 청약을 받았던 성남금토, 서울대방지구를 제외한 10개 지구에서 분양이 진행됩니다. 성남금토, 서울대방의 경우 해당 지역 2년 이상 거주자를 대상으로 특별공급을 진행해 지난 14일 접수가 마감됐습니다.

 

유형 및 지구의 경우 공공분양 일반공급은 ▲남양주왕숙 ▲부천대장 ▲고양창릉 ▲시홍거모 ▲안산장상 ▲안산신길2 ▲고양장항에서 진행됩니다. 신혼희망타운 청약 접수는 ▲인천계양 ▲남양주왕숙 ▲부천대장 ▲고양창릉 ▲부천역곡 ▲시흥거모 ▲안산장상 ▲안산신길2 ▲구리갈매역세권을 대상으로 받습니다.

 

공공분양 일반공급은 입주자모집공고일인 지난해 12월 29일을 기준으로 수도권에 거주하는 무주택세대구성원이어야 하며 입주자저축 가입자 중 순위별 자격을 갖춘 경우 신청이 가능합니다.

 

우선공급 자격인 1순위 요건의 경우 입주자저축에 가입해 2년이 경과돼야 합니다. 또, 월 납입금을 24회 이상 납입해야 하고 세대주임과 동시에 과거 5년 이내 무주택세대구성원 전원이 다른 주택에 당첨된 사례가 없어야 합니다.

 

공공분양 1순위 요건에 해당하는 이는 오는 21일까지 청약 접수를 할 수 있으며, 2순위 해당자는 오는 24일 하루만 접수 가능합니다.

 

 

신혼희망타운은 사전청약 입주자모집공고 시점을 기준으로 총자산 및 소득기준 등의 청약자격을 총족하는 경기도 및 수도권 거주자일 경우 청약할 수 있습니다.

 

신혼희망타운에 청약할 수 있는 기본 자격은 혼인 기간이 7년 이내 또는 6세 이하의 자녀가 있거나 모집공고일로부터 1년 이내에 혼인사실을 증명할 수 있는 무주택세대구성원이어야 합니다. 자격을 충족할 경우 오는 21일까지 사전청약 또는 LH청약센터 홈페이지에서 신청하면 됩니다.

 

LH 관계자는 “이번 4차 사전청약은 대상지구, 물량이 늘어나 내 집 마련의 좋은 기회가 될 수 있으므로 적극적인 청약을 추천드린다”며 “2022년 사전청약 물량도 조속히 확정해 무주택자 분들의 고충을 해결해 드릴 수 있도록 노력하겠다”고 말했습니다.  

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

홍승표 기자 softman@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너