검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업

삼성전자, ‘3040임원 승진’ 가속페달 밟았다

URL복사

Thursday, December 09, 2021, 11:12:43

정기 임원 인사 단행, 198명 승진 발령
30대 상무 4명, 40대 부사장 10명 탄생
지난 7일 사장단 인사 이어 젊은피 수혈 지속

 

인더뉴스 김용운 기자ㅣ이재용 부회장이 지난 11월 ‘뉴 삼성’을 표방한 이후 삼성전자[005930]가 젊은 리더들을 전면에 배치하며 세대교체를 가속화 했습니다.

 

삼성전자는 '2022년 정기 임원 인사'를 통해 임원 198명을 승진 발령했다고 9일 밝혔습니다. 

 

이번 인사에서 30대 상무는 4명, 40대 부사장은 10명이 나왔습니다. 30대 상무 승진은 2013년과 함께 역대 최다 타이기록입니다. 또한 '다양성과 포용성'을 강화하는 차원에서 여성과 외국인 임원 각각 12명과 5명 등 총 17명을 승진시켰습니다. 이는 지난해 1월 인사 때 9명, 12월 인사 때 10명 등과 비교해 대폭 늘어난 수치입니다.

 

눈에 띄는 30대 임원 승진은 박상범 상무입니다. 반도체(DS) 부문 S.LSI사업부 SOC 설계팀 박성범 상무는 1984년생으로 올해 37세입니다.

 

삼성전자는 박 상무가 모바일 프로세서 설계 전문가로, 중앙처리장치(CPU) 및 그래픽처리장치(GPU) 등 프로세서에 대한 높은 이해도를 바탕으로 미국 반도체 업체 AMD와 공동개발한 GPU 설계의 완성도 향상에 기여한 성과를 인정받아 승진했다고 밝혔습니다.

 

세트 부문 삼성리서치 스피치 프로세싱 랩(LAb)장인 김찬우 부사장은 1976년생으로 올해 45세입니다. 클라우드와 인공지능(AI), 시큐어리티 컴퓨팅 기술 전문가로 TV 플러스, 게이밍 허브 서비스 소프트웨어 개발을 통해 스마트 TV 차별화를 이끈 공로로 승진했습니다.

 

여성 임원 승진자 가운데서는 생활가전사업부 CX팀장 양혜순 부사장이 도드라집니다. 양 부사장은 가전 전문가로, 비스포크 컨셉트 개발을 통해 소비자 취향에 따라 다양한 디자인을 선택할 수 있는 맞춤형 가전 시대를 개척한 성과를 높이 평가받았습니다.

 

외국인 임원 승진자는 세트부문 SEA법인(미국)의 모바일 비즈(Biz)장인 주드 버클리(Jude Buckley) 부사장을 비롯해 5명이 이름을 올렸습니다.

 

이번 삼성전자의 임원 승진 인사는 지난 7일 단행된 사장단 인사에 이어 세대교체를 전면에 내세워 '뉴삼성'을 향한 밑그림을 완성했다는 평가가 나옵니다.

 

사장단 인사에서 김기남(DS부문·63세)·고동진(IM부문·60세)·김현석(CE·60세) 대표이사 및 부문장 3명을 모두 교체하는 파격 인사를 단행하고 지난 10년간 유지해왔던 디바이스솔루션(DS), 소비자가전(CE), IT·모바일(IM) 등 3개 부문 체제를 가속화되는 기술융합 흐름에 맞춰 DS와 세트(CE·IM) 2개 부문으로 재편했기 때문입니다.

 

이와 함께 60대 경영자 3각 체제에서 세트부문장을 맡은 한종희(59) 부회장과 DS부문장을 맡은 경계현(58) 대표이사 사장의 50대 투톱 체제로 전환했습니다.

 

투톱 체제로 전환 된 이후 첫 번째 이뤄진 임원 승진인사에 대해 삼성전자는 “직급과 연차에 상관없이 성과를 내고 성장 잠재력 갖춘 인물을 과감하게 발탁해 30대 상무∙40대 부사장 등 젊은 리더를 배출했다”며 “향후 부사장은 나이와 연공을 떠나, 주요 경영진으로 성장 가능한 임원을 중심으로 승진시키겠다”고 밝혔습니다.

 

▶ Samsung Electronics, '3040 executive promotion' has been accelerated

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


배너


배너