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삼성전자, 역대 최초 ‘분기 매출 70조 원’ 돌파

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Friday, October 08, 2021, 10:10:11

3분기 잠정실적 발표
매출 73조 원, 영업이익 15.8조 원
2020년 3분기 63조 원 기록 경신

인더뉴스 김용운 기자ㅣ삼성전자[005930]는 올해 3분기 잠정 경영실적(연결 기준)을 집계한 결과 매출 73조 원, 영업이익 15조8000억 원을 기록했다고 8일 밝혔습니다.

 

이는 지난해 3분기 대비 매출은 9.02%, 영업이익은 27.94% 증가한 수치입니다.

 

삼성전자의 분기 매출이 70조 원을 넘은 것은 처음입니다. 기존 최대였던 지난해 3분기(약 67조 원) 기록을 1년 만에 경신했습니다.

 

영업이익은 당초 시장 전망치(16조 원)보다는 낮았지만 반도체 슈퍼사이클(초호황기)이였던 2018년 3분기(17조5700억 원)에 이어 역대 두 번째로 높은 어닝서프라이즈(깜짝실적)를 기록했습니다.

 

업계에서는 지난 2분기부터 호황의 조짐을 보인 반도체가 호실적을 견인했다는 평가입니다. 주력인 D램 등 메모리 반도체 고정거래가격이 3분기에 정점을 찍었으며 상반기까지 고전했던 시스템 반도체와 파운드리(반도체 위탁생산) 부문도 최근 수율 개선과 신규 고객 확보 등으로 수익성이 개선됐다는 분석입니다.

 

스마트폰 판매량도 호실적에 기여했습니다. 하반기에 출시한 갤럭시Z폴드3와 Z플립3 등 '폴더블폰'이 출시 이후 100만대 이상 팔리는 등 그간 갤럭시 시리즈의 부진을 깼기 때문입니다.

 

디스플레이 부문도 스마트폰을 비롯해 노트북·태블릿용 중소형 OLED 판매가 늘면서 어닝서프라이즈에 밑거름이 됐습니다. 그러나 소비자가전(CE)의 영업이익은 지난 2분기보다 4000억 원 가량 감소한 6000~7000억 원 정도에 머무른 것으로 예상하고 있습니다.

 

 

증권가에서는 올해 4분기 삼성전자의 실적 흐름에 대해 전반적으로 양호하지만 3분기보다 수익은 감소할 것으로 보고 있습니다.

 

대만의 시장조사업체 트렌드포스가 최근 발표한 보고서에 따르면 4분기 D램 가격이 3분기 대비 평균 3∼8% 하락할 것으로 예상했습니다. 서버 D램 가격도 4분기 들어 0∼5% 하락할 확률이 높다고 내다봤습니다. 또한 연말 시즌에 따른 마케팅비용 증가 등의 이유로 3분기에 기록한 영업이익을 넘어서기는 다소 어렵다는 전망이 우세합니다.  

 

삼성전자는 “투자자들과의 소통 강화 및 이해 제고 차원에서 경영 현황 등에 대한 문의사항을 사전에 접수해 실적발표 콘퍼런스콜에서 주주들의 관심도가 높은 사안에 대해 답변을 진행하겠다”고 밝혔습니다. 질문은 오는 28일 실적발표 콘퍼런스콜 전까지 삼성전자 홈페이지에서 접수할 수 있습니다.

 

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김용운 기자 lucky@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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