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현대ENG, ‘힐스테이트 청주 센트럴’ 30일 견본주택 개관

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Friday, July 30, 2021, 09:07:49

49층 랜드마크 복합문화단지‥생활숙박시설, 지상 8층~49층·전용면적 165~187㎡ 160실 공급

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ현대엔지니어링(대표 김창학)은 30일 충청북도 청주시 흥덕구에 들어서는 ‘힐스테이트 청주 센트럴’의 견본주택을 열고 분양에 나선다고 밝혔습니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 청주고속버스터미널을 비롯해 생활숙박시설, 판매시설, 문화·집회시설 등을 갖춘 지하 7층~지상 49층 규모의 하이엔드 복합문화공간으로 조성됩니다.

 

이 중 생활숙박시설은 지상 8~49층, 전용면적 165~198㎡ 총 162실 규모로 들어서며 이번 공급분은 전용면적 165~187㎡ 160실입니다. 타입별로는 ▲165㎡A 39실 ▲165㎡A-H 1실 ▲165㎡B 39실 ▲165㎡B-H 1실 ▲165㎡C 40실 ▲187㎡ 40실로 구성됩니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴 단지 내 복합쇼핑몰에는 현대시티아울렛이 입점 예정이며 청주 최초 MX관을 갖춘 메가박스와 휴식·문화공간도 함께 들어설 예정입니다. 아울러 홈플러스, 현대백화점, 롯데아울렛 등의 대형 쇼핑시설과 충북대학교병원, 하나병원, 청주현대병원, 가경동행정복지센터, 가경동우체국 등의 편의시설도 가깝게 이용할 수 있습니다.

 

또한 충북선 청주역과 KTX 오송역이 인근에 위치해 있고 차량으로는 경부고속도로 청주IC, 중부고속도로 서청주IC, 청주 제2순환로 및 36번국도를 통해 청주 시내·외로 이동이 가능합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 현대엔지니어링이 청주시에 처음으로 공급하는 ‘힐스테이트’ 브랜드 단지로 실내 공간엔 2.5~2.9m의 천정고에 우물천정까지 적용해 개방감이 우수하고 현관 창고와 대형수납 복도장, 안방 드레스룸, 알파룸 등 풍부한 수납공간이 제공됩니다. 아일랜드 식탁과 주방이 11자 형태로 배치된 대면형 공간으로 꾸며지며 옆으로 통창이 설치돼 환기에도 유리합니다.

 

아울러 층간 소음을 감소시키기 위해 기둥식 구조에 더해 일반 아파트 두께(210mm)보다 90mm 두꺼운 300mm의 슬래브를 적용했고 욕실 층상 배관 및 로이 24mm 창호 등을 설치했습니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴 단지에는 총 8대의 엘리베이터가 설치되며 각 실 현관 바로 앞에 프라이빗 엘리베이터 홀을 제공할 계획이며 실당 2.36대의 주차공간을 제공할 예정입니다. 단지 최상층인 49층에는 스카이라운지를 비롯해 파티연회룸, 옥외 스파·사우나, 피트니스센터, GX룸 등의 커뮤니티 시설이 들어섭니다. 또한 조식서비스(딜리버리), 룸 클리닝, 세탁, 방문세차, 파티·케이터링 서비스 등과 같은 호텔식 컨시어지 서비스도 제공합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 외부에서 흡착된 미세먼지를 제거하는 에어샤워시스템이 단지 로비와 실내 현관에 설치돼 쾌적한 실내 생활이 가능하며 힐스테이트 Hi-oT서비스도 적용돼 스마트폰으로 조명, 냉·난방, 환기 원격제어 및 엘리베이터 호출, 주차위치 확인, 자동문 열림이 가능하고 음성인식에 의한 조명 제어가 가능합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴은 청약 통장이 없더라도 만 19세 이상이면 소득이나 주택 소유에 상관없이 전국 청약이 가능하며 조정대상지역과 무관하게 전매가 자유롭습니다. 분양 일정은 다음달 4일부터 6일까지 3일간 청약 접수를 시작으로 10일 당첨자 발표를 거쳐 12일부터 14일까지 3일간 정당 계약을 진행합니다.

 

힐스테이트 청주 센트럴의 분양홍보관은 충청북도 청주시 흥덕구 비하동 35-23번지(터미널사거리 옆)에 위치해 있습니다. 입주는 2025년 4월 예정입니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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