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현대건설, ‘힐스테이트 숭의역’ 8월 분양 나선다

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Tuesday, July 20, 2021, 15:07:44

오피스텔 지하 3층~지상 최고 47층 규모‥전용면적 39~59㎡ 주거용으로 구성

 

인더뉴스 안정호 기자ㅣ현대건설(대표 윤영준)은 오는 8월 인천광역시 미추홀구 숭의동 362-19번지 일원에 ‘힐스테이트 숭의역’을 분양한다고 20일 밝혔습니다.

 

힐스테이트 숭의역은 지하 4층~지상 최고 47층, 아파트 748세대, 주거용 오피스텔 264실 등 총 1012세대 규모로 조성됩니다. 이 중 주거용 오피스텔은 지하 3층~지상 최고 47층, 전용면적 39~59㎡ 264실, 단지 내 스트리트 상업시설인 ‘힐스 에비뉴 스퀘어몰’은 지상 1~2층, 100실로 구성됩니다.

 

주거용 오피스텔을 전용면적별로 살펴보면 ▲39㎡ 29실 ▲41㎡ 59실 ▲59㎡ 176실 등입니다.

 

힐스테이트 숭의역은 수인분당선 숭의역 앞에 위치한 역세권 단지입니다. 수인분당선은 서울지하철 1·2·3·4·5·7·8·9호선, 인천지하철 1호선, 신분당선, 경강선 등 수도권에서 운행 중인 대부분 지하철 노선과 환승이 가능해 서울 및 수도권 지역으로 이동할 수 있습니다.

 

또한 수인선 송도역에서 경부고속철도를 연결하는 ‘인천발 KTX 직결사업(20년 12월 착공)‘이 2024년까지 공사를 완료할 예정이며 개통 시 송도에서 부산까지 약 2시간 20분, 목포까지 약 2시간 10분이 소요될 예정입니다. 아울러 수도권제2순환고속도로도 예정돼 있습니다.

 

이 밖에도 인근 인천대로를 통해 경인고속도로 진입이 용이하며 제2경인고속도로, 수도권제2순환고속도로(인천~김포 구간) 등 광역 도로망이 가까워 차량을 통해 서울 및 수도권 일대로 이동이 편리합니다.

 

힐스테이트 숭의역은 반경 1km 내에 홈플러스 인천숭의점, 이마트 동인천점, 인하대병원 등 대형마트 및 의료시설이 위치해 있습니다. 또한 인천축구전용경기장, 인천시립도원실내체육관 등 문화시설도 가깝습니다. 신광초교를 도보로 통학할 수 있으며 광성중, 광성고 등 초·중·고도 인접해 있습니다.

 

힐스테이트 숭의역은 공기청정기급 HEPA필터를 적용한 전열교환장비 세대환기 시스템이 제공되며 천장형 시스템 에어컨에 공기청정기능이 추가된 유상옵션을 제공해 실내 미세먼지를 저감시키는 등 쾌적한 실내 환경을 유지할 수 있습니다. 또한 스테인리스 배관 사용으로 녹물을 방지하는 녹물 제로화 시스템 등 입주민의 건강을 지켜주는 설비들이 적용됩니다.

 

주거용 오피스텔과 힐스 에비뉴 스퀘어몰은 아파트 대비 청약, 대출 등 규제에서 비교적 자유롭다는 장점이 있습니다. 힐스 에비뉴 스퀘어몰의 경우 전매 제한이 없고 보유 시 주택 수에도 포함되지 않습니다. 오피스텔 분양권은 취득세 계산 시 주택 수에 포함되지 않으며 아파트 청약 시에도 주택으로 간주되지 않습니다.

 

현대건설 분양 관계자는 “힐스테이트 숭의역은 수인분당선 역세권 입지에 들어서는 힐스테이트 브랜드 주거복합단지로 풍부한 생활 인프라와 브랜드 프리미엄을 모두 누릴 수 있다”며 “교통망 개통과 주거 환경 개선이 기대되는 개발 사업이 다수 예정돼 있어 미래가치가 높아 수요자들의 많은 관심이 기대된다”고 말했습니다.

 

힐스테이트 숭의역은 현재 분양 홍보관을 운영 중으로 인천광역시 미추홀구 인중로 22 용운빌딩 1층에 위치해 있습니다.

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안정호 기자 vividocu@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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