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통합 GS리테일, 5년간 1조원 투자…“25조원 시너지 목표 달성”

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Wednesday, April 28, 2021, 11:04:53

전국 40만㎡에 달하는 60개 물류 센터 운영
우딜·새벽배송·반값택배 등 초대형 물류 인프라 구축

 

인더뉴스 강서영 기자ㅣGS리테일(대표 허연수)이 5년간 1조원을 투자해 2025년 취급액 25조원을 달성하겠다고 밝혔습니다.

 

28일 GS리테일은 GS샵과의 합병을 앞두고 IR콘퍼런스(기업설명회)를 열어 향후 5년간 투자 계획 및 구체적 목표 수준과 달성 방안에 관해 설명했습니다.

 

GS리테일에 따르면 ‘고객의 라이프스타일을 선도하는 온·오프 통합 커머스플랫폼’을 목표로 향후 5년간 1조원을 투자한다는 계획입니다. 

 

주요 분야별 투자 규모는 ▲디지털커머스 강화에 2700억원 ▲IT 및 물류 인프라 구축에 5700억원 ▲신사업에 1800억원 등 약 1조원 수준입니다.

 

디지털커머스 강화는 고객에게 차별적인 쇼핑 경험을 제공하기 위한 싱글사인온(SSO, 한 번의 로그인으로 여러 서비스 이용), GS페이 등 간편 결제 시스템 구축, 식품 관련 신사업 투자 확대를 통해 구체화할 예정입니다. GS리테일은 이를 위해 약 2700억을 투자할 계획입니다.

 

6개의 물류 센터 신축과 IT 인프라 구축을 위한 투자도 5700억원 계획됐습니다. 통합 GS리테일은 연면적 40만㎡가 넘는 규모의 전국 60개 물류 센터망과 3300여대의 배송 차량·2200여명의 인력을 보유하게 됩니다.

 

GS리테일은 여기에 6개의 물류 센터를 추가로 구축해 전국의 소비자 99%에게 2시간 내 배송이 가능한 ‘가장 가까운 물류망’을 갖춘다는 계획입니다. 또한, 1만5000여 소매점과 ‘우리동네딜리버리’·‘부릉’ 연계 배송·‘박스25’·‘반값 택배’·수퍼 배송·새벽 배송 등 다양한 최종 물류 수단을 활용해 차별화된 물류 통합 인프라를 구축할 예정입니다.

 

데이터 분석 강화를 위한 IT 인프라 구축 작업도 이뤄집니다. 통합 GS리테일은 보유한 모든 소매 플랫폼에서 연간 발생하는 약 20억 건의 구매 데이터를 분석해 초정밀 개인화 추천 알고리즘을 적용한 맞춤형 혜택을 제공하고, 경영 전반에 걸친 의사 결정에 데이터를 활용할 계획입니다.

 

이외에도 신사업 영역과 다양한 소매 포맷이 융·복합된 새로운 콘셉트의 점포를 개발·론칭하는 데에도 1800억원을 투자합니다.

 

이런 투자를 통해 GS리테일은 2025년 기준 취급액 25조원을 달성하는 것이 목표라고 밝혔습니다. 사업별 2025년 구체적인 취급액 목표는 ▲편의점 11조4000억원 ▲홈쇼핑 4조9000억원 ▲수퍼 1조6000억원 ▲디지털커머스 5조8000억원 등입니다.

 

오진석 GS리테일 전략부문장(부사장)은 “통합 GS리테일이 2025년 취급액 25조원을 달성하기 위해 5년간 1조원에 달하는 투자를 감행한다”며 “이를 통해 초대형 물류 인프라와 정밀한 분석 시스템 및 온·오프라인 커머스플랫폼을 구축해 차별화된 고객 가치를 제공하며 대한민국 제1의 유통 혁신 기업으로 발돋움할 것”이라고 말했습니다.

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강서영 기자 lisacool@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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